DDR3 2Gb逐渐成DRAM主流

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-07-13 07:56
据报导,以内存容量为基准,DDR3主力产品容量将从1Gb逐渐转向2Gb。2011年第2季,DDR3 2Gb产品出货量首度超过1Gb产品,成为DRAM主力产品。
据统计,2011年第2季出货的DRAM产品中,2Gb容量DRAM比重占54%,出货量首度超越1Gb产品。2010年第4季整体DRAM出货量中,仅占30%的2Gb产品至2011年第1季,攀升到与1Gb产品相同的47%,当时便已有传闻指出2011年第2季2Gb产品可能跃升为DRAM主力产品。
DRAM主要产品内存容量从1Gb转换为2Gb,是由于在DRAM业界排名第1和第2的三星电子(Samsung Electronics)及海力士半导体(Hynix)快速扩大主要生产2Gb产品的40奈米以下制程比重。
整体DRAM产量中,海力士40奈米以下制程比重自2011年第1季末的60%,攀升到第2季末的70%。同样的,三星40奈米以下制程比重近来也超越70%。
不只是三星和海力士,尔必达(Elpida)、美光(Micron)、南亚、华亚、力晶等半导体厂进入2011年后,也陆续着手以40奈米等级制程量产DRAM。外电指出,2011年后40奈米以下制程所生产的DRAM增加,整体DRAM当中,2Gb比重在2011年第3季、第4季将各攀升至61%和66%。
近来1颗2Gb产品较2颗1Gb产品价格便宜,因而产生位成长(Bit Growth)。海内外DRAM制造厂之间为提升收益性,纷纷增加2Gb产品产量。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

标签:

简讯快报

更多