东芝(Toshiba Corporation)、SanDisk 12日欢庆日本三重县四日市第三座12吋NAND型闪存(Flash Memory)新厂「Fab 5」正式启用。Fab 5是在2010年7月开始动工兴建,其先进生产设备出自Flash Forward, Ltd.(东芝、SanDisk各持有50.1%、49.9%股权)。
东芝去年7月表示,兴建新厂是基于看好固态硬盘(SSD)、智能型手机等新兴应用产品对NAND Flash的需求。占地面积约38,000平方公尺的Fab 5采用防震设计,广泛采用LED照明以及尖端节能生产设备预期可使其二氧化碳排放量较Fab 4减少12%。Fab 5未来计划采用全球最先进的19奈米制程。
Novellus(美国半导体设备大厂)执行长Richard Hill甫于7月11日在电话财报会议上表示,来自公司前六大客户的讯息显示,PC、智能型手机、平板需求疲软可能导致本季DRAM、NAND Flash合约价下跌;半导体厂产能利用率已低于正常季节性水平。Fab 5的投产会不会让NAND Flash合约价加速下跌预料将是各方关注的焦点。