据了解,三星电子计划将DRAM和NAND产量较今年分别扩大约24%,SK海力士计划扩大生产,重点关注 HBM 等尖端 DRAM,计划将 DRAM 产量提高到减产前的水平,即去年年底前的水平。

南亚科技Q4仍维持动态减产20%以内的水准,明年整体位元出货量预计将较今年成长。

目前主流的NAND技术是V-NAND,通过垂直堆叠单元来提高存储容量和性能。然而,随着V-NAND不断小型化,它已经达到了一个阶段,如果没有对原子级别发生的现象有基本的了解,就很难实现创新。

旺宏董事长吴敏求针对行业景气度表示,全球经济情势不佳,明年产业景气虽然可望较今年好,但好转程度有限。其中工业及车用需求稳定,医疗可望成长。

根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图,其支持内存速率6400MT/S的新一代服务器CPU平台计划于明年发布,因此,DDR5第三子代RCD芯片将跟随该CPU平台的发布而开始规模出货。

美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储产品「1γ」DRAM。此外,还计划在广岛工厂生产生成式AI用「HBM」。

大普微电子(DapuStor)PCIe 5.0 NVMe SSD产品Haishen5系列完成与Intel VMD – VROC的联合测试,通过了Intel VROC 8.0的认证。此外大普微全线PCIe 4.0 SSD也已完成认证。

CMM是CXL Memory Module的缩写,是国际半导体标准化组织JEDEC制定的基于CXL的内存规范。在三星内部,CXL 通常称为 CMM。

高品质NOR Flash市场需求已开始回温。不过,在总体经济不佳的影响下,客户库存去化时间递延,库存消耗量能低于预期,其中以大陆与日本市场的状况较为严重。

预计明年的营业利润将大幅超出市场预期,录得38.4万亿韩元(约合293.6亿美元),较今年增长378%。

今年以来兆易创新新获得专利授权40个,较去年同期减少了47.37%。结合公司2023年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了4.77亿元,同比减4.07%。

十铨指出,随着供应商持续减产,DRAM及NAND Flash价格已逐步回升,未来将即时弹性调整库存水位因应,2024年营运将聚焦于扩大品牌市占率。

中国移动日前公示了2023年至2024年SSD硬盘AVAP合作商第一批次引入项目采购包2-采购包5的中标候选人,忆联、浪潮、大唐存储、海康等9家入围。

就GPU本身制造而言,英伟达的主要合作伙伴是台积电;但在封装工作环节,英伟达同时使用台积电、三星、Amkor的服务。

恒烁股份NOR Flash产品覆盖 1Mb~256Mb等多种容量,可满足客户大中小容量的需求,目前中大容量产品销售占比要比小容量产品更多。

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