支持3D TLC/QLC NAND,可提供2,100MB/s 和 2,000MB/s 的峰值连续读写传输速度,最大容量可支持8TB。Silicon Motion 2024-05-30
专为数据中心工作负载而设计DRAM-base控制器,满足以最低延迟提供出色的IOPS/watt。Tenafe 2023-12-28
TC2201是PCIe Gen4 DRAM-less SSD主控,具有 4 个支持高达2400 MT/s 的通道。Tenafe 2023-06-30
提供四个NAND通道,顺序读写速度最高可达2,100/2,000MB/s,最大支持容量4TB。Silicon Motion 2023-04-18
采用台积电6nm EUV工艺,功耗降低50%,整体功耗不到7W,能效比PCIe Gen4 SSD 高1.7 倍。Silicon Motion 2023-02-17
采用双核ARM R8 CPU,支持4个NAND通道,每通道最高可达3,200 MT/s。Silicon Motion 2023-02-17
采用12nm工艺制程,具有4个支持高达1600 MT/s 的 NAND 通道。Tenafe 2022-11-17
支持现有的和下一代 3D NAND 存储器类型,提供超过14 GB/s 的持续顺序读取性能。Silicon Motion 2022-07-29
Tacoma采用4通道PCIe 5.0接口,具有16/18个NAND通道,支持NVMe 2.0、DDR5及ONFI 5.0等最新技术协议。YingRen 2022-05-27
E26支持最新一代的NAND Flash接口ONFl 5.0和Toggle 5.0实现高端性能。具有8个通道32个芯片支持(CE)Phison 2022-05-10
采用22nm工艺技术,突破性能功耗极限,以其三高一低“高性能、高稳定、高安全、低功耗”的卓越品质maxio 2021-12-01
四通道(无外置缓存)实测顺序读性能高达7400MB/s的PCIe 4.0 SSD主控芯片;BALL PITCH 0.65mmmaxio 2021-12-01
Phison PS5021-E21T将在21年Q4量产,不含DRAM,采用PCIe 4.0 x4,最大容量可达4 TBPhison 2021-11-01
RainierQX具有四个NAND通道,可通过ONFI 5.0或 Toggle 2.0/3.0/4.0接口,支持SLC、 MLC、TLC和QLC NAND闪存YingRen 2021-09-15
支持 PCIe 5.0 和 NVMe 1.4b,支持最新3D NAND QLC、TLC和 SLC技术,延长SSD使用寿命。Marvell 2021-05-27
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