PCIe Gen5主控SM2508

采用台积电6nm EUV工艺,功耗降低50%,整体功耗不到7W,能效比PCIe Gen4 SSD 高1.7 倍。

产品分类:控制芯片 品牌:慧荣
应用领域: SSD
产品白皮书 发布于:2023-02-17
PCIe Gen5主控SM2508 共1个产品
型号 接口 NAND Flash Flash通道 CE/CH 速度(读) 速度(写) 随机读取 随机写入 封装
SM2508 PCIe Gen5 x4 3D TLC/QLC 8 32/8 最高14.5 GB/秒 最高14 GB/秒 最高2.5M IOPS 最高2.5M IOPS 576-balls EHS-FCBGA (15mm x 15mm)

产品概览

SM2508采用台积电6nm EUV工艺,功耗降低50%,整体功耗不到7W,能效比PCIe Gen4 SSD 高1.7 倍。

SM2508支持八条NAND通道,每通道速率高达3600MT/s,提供最高14.5 GB/s的顺序读写速度和13.6 GB/s的随机读写速度,以及高达2.5M IOPS的随机性能,是PCIe Gen 4产品的两倍。这款控制器的功耗仅为大约3W,得益于慧荣科技独有的第八代NANDXtend技术,包括减少ECC计时的磁盘上训练算法,提高了性能和能效,同时确保与最新的3D TLC/QLC NAND技术兼容,满足下一代AI PC的高数据密度需求。

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