三星公布了型号为470的SSD产品系列，采用30nm MLC闪存打造，内置双控制器，支持TRIM，采用3Gbps的SATA接口连接，写入和读取速度分别为250和220MB/s。

三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)30日公布2010年第2季(4-6月)财报：合并营收年增17%至37.89兆韩圆；合并营益连续第2个季度创历史新高，年增88%(季增13.6%)至5.01兆韩圆。

三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)21日宣布，本月将在世界上最早实现30纳米级2GB DDR3 DRAM量产。这是继去年7月三星在业内最先实现40纳米级DDR3 DRAM之后的又一纪录。

由于身为苹果公司(Apple Inc.)的主要供应商，三星电子(Samsung Electronics Co.)可望成为iPad热潮下的最大受惠者。

根据报告指出，三星电子为苹果(Apple Inc.)iPhone 4智慧型手机的应用处理器「A4」代工厂商，同时也是4Gbits行动DDR SDRAM、NAND Flash供应商。

据悉，高速静态随机存取记忆体(High Speed SRAM)供应商GSI Technology Inc.表示三星电子(Samsung Electronics)迟早会退出SRAM市场，GSI应该可以从中取得一定比例的市占率。

三星电子(Samsung Electronics Co.)7日公布第2季(4-6月)财测：预估营业利益将达历史新高5兆韩圆(40.9亿美元)，较去年同期的2.67兆韩圆增长近一倍；营收年增17%至37兆韩圆。

由于记忆体晶片营收创新高，三星第二季营业净利估为4.8兆韩元（40亿美元），超越第一季的4.4兆韩元，较去年同期的2.67兆韩元则成长近二倍，同时将再创历史新高，营收则达38.4兆韩元。记忆体晶片贡献三星一半的营业净利。

三星电子宣布，旗下专业晶圆代工事业Samsung Foundry位于南韩京畿道器兴(Giheung)的12吋晶圆厂「 S Line」已通过32奈米低耗电高介电层金属闸逻辑制程技术认证。

亚洲最大的半导体厂商三星公司将斥资36亿美元，扩增位在美国德州奥斯汀（Austin）12吋晶圆厂的产能。

据报导，科技市调机构指出，今(2010)年三星电子的半导体销售额可望大增最多50%至超过3亿美元。该机构指出，三星电子5月初曾表示计划将今年的半导体资本支出提升至约96亿美元，占全球的比重将达22%，相当于英特尔、台积电(2330)的合并支出比重。

全球最大内存制造商三星电子(Samsung Electronics)表示，忧心不稳定的欧元区经济状况，恐对全球内存市场的投资人及消费者产生后续影响。

历经2008-2009年金融风暴后，全球半导体产业呈现快速反弹回升的迹象，下游终端应用市场对半导体产品的需求，亦从供过于求转为供不应求。

看好景气逐渐复苏带动需求，韩国电子巨擘三星电子（Samsung Electronics）周一宣布超大手笔扩张今年资本支出，而达18兆韩元（约合159亿美元），较去年资本支出8兆韩元增逾一倍。

据报导指出，三星电子、英飞凌、海力士（Hynix）与台湾南亚科技(2408)等10家记忆芯片厂商，本周预料将因违法操控价格而遭欧盟执委会开罚。