三星电子宣布，已经开发出并开始试产基于MLC NAND多层闪存芯片的固态硬盘，专门面向企业级存储系统。

据报导，全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)表示，将兴建新的半导体产线，地点在首尔南方约70公里处的平泽(Pyeongtaek)。三星发言人表示，三星近日将与平泽当地政府签署初步合约，不过投资的金额、开工的时点等细节仍然没

此次大规模重组的目的是为了增强对有潜质的CEO接班人的培养，为集团未来管理提供人才储备，同时在各个业务部门加快建立负责任的管理体制。

据报导，三星电子(Samsung Electronics)应用可大幅提升内存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技术开发出8GB DDR3 DRAM模块。

标准型DRAM价格直直落，各家DRAM大厂都亟欲切入服务器内存的市场，三星电子(Samsung Electronics)近期再度布局服务器内存，推出8GB的RDIMM(Registered dual Inline Memory Module；RDIMM)，

据报导，内存芯片大厂三星电子(Samsung Electronics)为提升行动通讯竞争力，计划拓展近端通讯(Near Field Communication；NFC)芯片市场，相关产品拟定于2011年初开始量产。

受到三星集团(Samsung Group)会长李健熙选任为集团组织负责人的三星副会长金淳泽22日表示，新的集团策略企划部门将以新附属、新成长事业为中心进行架构。

南韩Samsung Electronics(005930-KR)(三星电子)第三季获利年增17.1%，受惠于晶片与智慧型手机Galaxy S销售强劲，抵销了其它消费电子设备的疲弱买气。 三星周五公布，9月底为止一季，净利由去年同期的3.81兆韩元升至创新

全球第二大半导体制造商三星电子公司发布初步预估，表示因受电脑晶片与面板价格下跌拖累，第三季获利将低于分析师预估。

三星电子(Samsung Electronics)的品牌价值在2010年全球100大品牌(Best Global Brands)调查中，排名居第19名。

智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)等革新性行动装置制作成实体的过程中，对高性能、低耗电半导体的需求也正逐渐增加，因此三星计划以性能提升，且减少耗电量的半导体产品主导市场。

三星半导体目前有记忆体、逻辑IC与代工3大事业，晶圆代工部分虽自2005年才开始跨入，但目前45奈米及32奈米已量产，2011年将导入28奈米高介电金属闸极（High-k Metal Gate，HKMG）技术，且会聚焦在低功耗及应用处理器（AP）市场。

三星2010年有5大计划；第1是位于南韩华城的Line 16正式动工，未来单月产能可达20万片，主要是生产DRAM、NAND Flash和相变化内存(PCM)；第2是正式宣布投入18兆韩圆(换算约158亿美元)兴建新厂房，这是三星有史以来的年度最高厂房投资

南韩KOSPI指数6日以高盘(1,791.76点)开出后，由科技类股领军走高。根据嘉实XQ全球赢家系统资料显示，截至台北时间6日上午10时53分为止，KOSPI指数上涨0.39%(7.03点)，报1,787.05点。

2011年该公司考虑投资约30兆韩圆(255.5亿美元)提升现有营运并拓展新业务，投资金额创下历史新高纪录。三星在2010年预定在制造设备与研发作业投入26兆韩圆。