根据三星官方预估，消费者可通过该容量存储卡拍摄储存最高3小时50分钟的4K视频或者16小时20分钟的全高清视频，同样有望储存10000张图片和30000首MP3歌曲。

韩国三星电子于2015年12月9日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲（论文26.5）。三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，该公司表示其特性非常良好，并表示“采用同样的方法，可以达到10nm工艺”。

三星电子(Samsung Electronics)将以直通硅穿孔(TSV)技术为基础，加速研发将存储器和逻辑芯片集成唯一的集成芯片解决方案。三星将把结合CPU、存储器和通讯等的集成芯片，发展为新业务。

三星在日本先行推出了新款廉价固态硬盘750 EVO，不过暂时仅面向OEM渠道，包括商务台式机、笔记本。750 EVO采用传统2.5寸盘规格，6.8毫米厚度，SATA 6Gbps接口，容量提供120GB、250GB两个版本，搭载缓存256MB DDR3，主控

2014年8月底，三星电子宣布量产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，单条容量高达64GB。一年多后，三星将这一容量翻了一番，开始量产128GB TSV DDR4内存条。

三星电子(Samsung Electronics)为牵制睽违30年宣布重新进军存储器市场的半导体巨擘英特尔(Intel)，出手投资拥有大量特殊存储器专利的美国技术企业。

据Tom's Hardware报道，周末的时候，该公司日文网站上突然冒出了似乎采用了平面TLC NAND（而非3D V-NAND）的EVO系列SSD新品。根据规格描述中的信息，可知其应该会面向入门级市场，采用的主控为MGX。

三星周四公布了第三季度财报。第三季度，三星实现了过去8个季度以来利润的首次同比增长。三星的芯片业务表现强劲，而智能手机业务也获得了一定增长。

三星周三公布了第三季度的初步财报。韩元汇率的走低提振了三星元件业务的营收，抵消了Galaxy智能手机降价的影响，使得三星该季度利润超出分析师预期。受此财报影响，三星股价大幅上涨。

三星的新款智能手机市场反响不佳，而这也对该公司的股价造成了不利影响。凭借550亿美元的现金储备，三星可能将进行股票回购。分析师预计，三星最早将于本月提出股票回购计划，将价值回馈给股东。

三星计划削减芯片投资的消息一传出马上被推翻，相反的，三星不仅没有放慢脚步的打算，还计划争抢更多芯片生意，且目标正是与英特尔、台积电业务重叠的逻辑芯片。

韩国时报24日引述消息人士报导，三星电子计划削减2016年半导体资本支出(主要集中在DRAM项目)两成、希望藉此拉抬芯片价格。消息人士透露，三星明年并不打算兴建新芯片厂，因为公司的当务之急是获利而非扩产；预估存储器芯片资本支出将从今年的10兆韩元降至8兆韩

韩联社20日报导，根据研究机构FnGuide的统计，全球最大手机制造商三星电子恐因移动部门盈余恶化而缴出逊于预期的第3季财报。以22家受访券商的平均预估值(截至9月17日为止)来计算，三星第3季盈余预估将达6.61兆韩元(56.8亿美元)、较一个月前的推估

韩国本土券商Korea Investment & Securities周一告诉客户，三星第三季营业盈余恐只有6.5兆韩元，不仅不如前季的6.89兆韩元，亦低于市场平均预估的6.6兆韩元。

三星的存储器部门再添新战力，三星周三宣布，旗下最新型12Gb（Gigabit）移动版DRAM将领先同业进入量产，时间预计在今年稍晚。