据ETnews报道，三星电子将通过新的TSV技术增加3D-stacked DRAM产量，有望供货给进军AI（人工智能）市场的英特尔和Nvidia。

在NAND Flash技术由2D向3D转换的关键时期，以及为了应对不断增加的市场需求，各家Flash原厂投资动作不断。近日，传三星电子(Samsung Electronics)正考虑在2019年之前斥资10兆韩元(约89.1亿美元)，将其大陆西安NAND

三星电子开足马力发展晶圆代工事业，周三(5月24日)誓言要领先群雄，跟台积电一较长短的企图心相当浓厚。

新韩投资（Shinhan Investment Corp）日前发布报告预测，三星今年半导体资本支出将扩增至24.5兆韩元（约合218亿美元），较去年成长85.6%，且将超越2015年的14.7兆韩元成为三星史上新高。

据ETNEWS报道，三星电子平泽Fab 18新工厂建设完工，将在下个月开始运作，用于生产最先进的64层3D NAND，未来将成为三星最大半导体产线，也是三星稳固市场地位的重要生产基地。

三星周五进行组织结构重整，晶圆代工确定分拆成独立单位，其半导体事业也将从原先存储器与系统LSI双组织结构分拆成三支。

据《韩国先驱报》报道，消息称，三星集团预计最快在本月实施高管重组。三星通常在每年的12月实施重组，任命高管和CEO。然而，在三星卷入了韩国腐败丑闻后，该公司推迟了去年的高管调整。这场腐败丑闻导致韩国总统朴槿惠被弹劾，三星实际掌门人李在镕(Lee Jae-y

由于担心公众不满，三星叫停了旨在为李在镕担任集团首席执行官铺平道路的重组计划。但三星并未放弃其接班人计划，不过采取了更隐秘的方式，废止了大量库存股，帮助巩固李在镕的势力。李在镕因涉嫌行贿2月中旬被拘押。目前，他通过手机有效地管理公司，在探监期间对公司高管“

据ETNEWS报道，三星投资26.4亿美元（3兆韩元）用于华城Fab17工厂生产10nm级的DRAM，预计将在下半年大规模投入生产。三星Fab17工厂是一条混合产线，除生产DRAM，还生产3D NAND和系统半导体芯片。

fudzilla、IBTimes、韩国经济日报报导，三星24日发布MRAM，此种次世代存储器兼具NAND Flash和DRAM的优点，无须电源也能储存资料，而且处理速度极快。三星宣称，MRAM是非挥发性存储器，采用自旋传输科技(Spin-torque tr

三星公布了截止至3月31日的2017年第一季度（1-3月）财报数据，总营收为50.55兆韩元（约合447亿美元），同比增长1.6%，环比下滑5.2%，营业利润达9.9兆韩元（约合87.6亿美元），同比增长48%，环比增长7.4%，净利润7.68兆韩元（约合

据路透社报道，三星电子周四宣布，在评估了股东的提议后，公司决定不采用控股公司结构。

韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18nmDRAM，目前正研发17nmDRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16nmDRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后

据业内人士消息称，三星位于韩国平泽(Pyeongtaek)的Fab 18工厂，预计将在Q3出货，其用于生产最新第四代64层3D NAND。据悉，三星平泽Fab 18工厂从2015年5月开始建造，耗资150亿美元，预估初期阶段3D NAND每月Wafer投片

据《韩国先驱报》报道，有行业消息人士周一称，由于被发现存在账目差错，三星电子可能被要求补缴巨额税款。据推测，这笔资金可能高达5000亿韩元（4.377亿美元）。