据传三星电子(Samsung Electronics)印度分公司正在进行管理高层改组，手机与消费电子业务均将换上新主管，部分印度籍干部也将有人事异动。据传可能与三星在印度智能型手机(Smartphone)市场面临的挑战有关。

韩国三星电子副会长李在镕因涉嫌行贿等，一审被判监5年。据韩联社报道，李在镕二审将于27日结束。首尔高等法院将于今日上午10时召开李在镕和三星前任4名干部的审判。自9月28日二审开始以来，已过去四个月。

据《日经亚洲评论》北京时间12月26日报道，三星电子有望在今年成为全球最大半导体销售商。飙升的存储芯片需求正推动三星超越英特尔公司，后者已经把持年芯片收入第一的位置长达25年时间。

据彭博社北京时间12月21日报道，亚洲科技股在今年的增长似乎开始放缓。随着两家公司的分析师下调了三星电子的第四季度营业利润预期，市场越来越怀疑科技股的增长正在失去动力。

据韩国先驱报报道，三星移动部门CTO（首席技术官）Rhee In-jong宣布从公司辞职，已经生效，理由是自己需要发挥父爱，繁忙的工作导致他没时间关心女儿。Rhee在周二给员工的一份邮件中透露，女儿作为美军武装部队的办事员近日被部署到伊拉克，他感到自己必须

12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。

传三星新任设备解决方案部门总裁金奇南（Kim Ki-nam）已选定系统单芯片与晶圆代工作为发展主轴。

传闻三星电子(Samsung Electronics)即将在2018年初发布的Galaxy S9+智能型手机将采用双镜头相机模块与其它更高规格硬件，因此Galaxy S9+恐将成为Galaxy S系列中售价最高的机种。

据《韩国先驱报》报道，欧盟委员会周一公布的数据显示，在2016年至2017年期间，三星电子在研发方面的投入在全球2500家主要公司中排名第四。

12月5日，三星宣布开始量产采用三星最新64层512Gb V-NAND芯片的首款512GB eUFS（ embedded Universal Flash Storage ）产品，满足移动设备需求，该产品由八颗64层512Gb V-NAND芯片和控制芯片封装

据etnews报道，三星开始对位于平泽二楼进行第二阶段投资，将主要用于是生产DRAM，目前三星平泽厂二楼约一半面积的无尘室建设已进入最后阶段，并已开始接受三星主要合作伙伴的订单。

传三星电子(Samsung Electronics)有意在韩国华城厂区内建设极紫外光(EUV)曝光设备专用产线，2019年初生产10nm级(1z)制程DRAM，尽可能在DRAM市场与竞争对手维持技术差距，并且获取最大利益。

三星电子11月29日宣布其代工业务已开始大量生产基于第二代10nm FinFET 10LPP工艺的系统芯片（SOC）的产品。计划2018年初推出应用于数字设备的基于10LPP工艺的SoC芯片。

韩媒etnews 24日报导，业界消息指出，三星电子正与两家大型半导体业者商讨7nm的晶圆代工订单，一家是美国业者、另一家是中国业者。

随着数据存储需求的不断增加，尤其是服务器市场，对数据高速处理、存储、分析，以及快速响应的要求也在不断的增加。英特尔与美光在2015年研发出3D Xpoint技术，速度是普通NAND的千倍。