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  • 2026-01-17 07:46

三星最新消息

据媒体报道,三星二期一阶段项目首批半导体产品已正式下线上市,二阶段全面开工建设。

据外媒报道,三星高管周四表示,在该公司位于韩国、美国和巴西的关键芯片工厂的员工中,确诊新冠病例数量正在上升,但这对其业务的影响将是有限的。

据韩媒体报道,三星位于美国德克萨斯州奥斯汀工厂的员工在3月28日确诊感染新冠肺炎病毒,该信息已得到证实。

三星电子3月30日发布了2019年业务报告,报告显示2019年三星电子在员工人数和研发投资规模方面均创下新纪录。

三星电子宣布已经成功出货了100万个业界首款基于极紫外光(EUV)技术的10nm级(D1x)DDR4模块,目前已经完成了全球客户的评估。

三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1,其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍,打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。

三星电子16日在一份备忘录中表示,“强烈建议”所有员工尽可能在家工作,此举旨在应对日益升级的新冠病毒疫情。

3月10日,三星(中国)半导体有限公司举行三星高端存储芯片二期第一阶段项目产品下线上市仪式,预计今年8月实现满产。

三星位于中国西安的工厂二期目前正在安置生产设备,预计将在2020上半年投产NAND Flash。与此同时,三星平泽二期工厂也正在进行清洁室建设,将根据市场情况决定在2020年投产的时间节点,用于生产DRAM。

三星华城半月洞半导体工厂废水处理厂发生火灾,DRAM和NAND Flash芯片生产未受影响。

三星电子21日宣布任命外部董事、韩国前企划财政部长朴宰完(Bahk Jae-wan)作为董事会的新主席,接替宣布辞职的李相勋(Lee Sang-hoo),三星称这一任命即刻生效,将提高董事会的独立性和管理透明度。

三星宣布位于韩国华城的最新尖端半导体V1工厂生产线已经开始量产,该工厂致力于极紫外(EUV)光刻技术生产,并使用7纳米(nm)以下的工艺节点生产芯片。

三星通过微博正式公布LPDDR5,官方宣传称,与LPDDR4X相比,LPDDR5带宽提升29%,相同工作效率下,功耗节省14%。

由于新冠病毒的影响,中国作为全球制造业的主要集中地,受到了不小的冲击。据媒体报道,三星在2月9日表示,将向受疫情影响的中国供应商提供总金额2.6兆韩元(约22亿美元)的援助。

三星电子宣布16GB容量的第三代高带宽存储器HBM2E“Flashbolt”,成功进入市场,主要应用于高性能计算机系统,AI数据分析和最新的图形系统。

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