采用PCIe 3.0 x 2接口,符合NVMe 1.2规范,支持 3D MLC/TLC,最大支持容量2TB。
衡宇芯
2018-11-01
采用64层QLC NAND,PCIe 3.0 X4接口,M.2 2280规格形态。提供512GB、1TB、2TB三种容量选择。
英特尔
2018-10-25
基于3D NAND架构,最高读取速度可达750 MB/s ,最高写入速度可达320 MB/s。
闪迪
2018-10-24
符合 UHS-I 和 Class 10 速度评级,读速可达 100MB/s,最大容量512GB。
雷克沙
2018-10-24
采用3D TLC,PCIe Gen3x4 接口,读写速度最高每秒3500/3000MB。
威刚
2018-10-24
C1004系列产品是专为车载电子类应用而设计,支持SATA Ⅱ标准(3Gb/s)。
佰维存储
2018-10-24
采用3D TLC,符合UFS 2.1接口协议,提供16-256GB容量选择。
闪迪
2018-10-19
采用美光64层3D QLC NAND,主控采用慧荣SM2263,M.2 2280规格形态,提供500GB、1TB、2TB三种容量选择。
美光
2018-10-17
世迈科技DuraMemory DDR4 LRDIMM低负载内存利用分布式缓冲区,让高速内存控制器可以实现较高的内存总量。
世迈科技
2018-10-16
采用了96层3D NAND技术,符合UFS 2.1协议规范,提供32GB-256GB容量选择。
闪迪
2018-10-10
采用3D TLC,容量240GB、480GB、960GB,持续读写性能最高550MB/s、480MB/s。
金士顿
2018-09-26
采用3D NAND,SATA 6Gb/s接口,2.5寸规格形态,120-480GB容量选择。
雷克沙
2018-09-26
采用3D TLC,PCIe Gen 3.0x4接口,240-960GB容量可选,连续读写速度最高可达2100MB/S、1600MB/S。
雷克沙
2018-09-20
采用3D TLC,M.2 2280规格形态,M.2 PCIe Gen3×4 Key M接口,提供512GB~2TB容量选择。
时创意
2018-09-03
采用Micron 3D?NAND,SATA III 接口,2.5英寸规格,容量有120GB、240GB、480GB。
美光
2018-08-31