| 系列 | 容量 | NAND Flash | 接口类型 | 规格 | 速度(读) | 速度(写) | 随机读取 | 随机写入 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P1 | 500GB | 3D QLC | PCIe 3.0 x 4 | M.2 2280 | 最高1900MB/秒 | 最高950MB/秒 | 最高90K IOPS | 最高220K IOPS | |
| P1 | 1TB | 3D QLC | PCIe 3.0 x 4 | M.2 2280 | 最高2000MB/秒 | 最高1700MB/秒 | 最高170K IOPS | 最高240K IOPS | |
| P1 | 2TB | 3D QLC | PCIe 3.0 x 4 | M.2 2280 | 最高2000MB/秒 | 最高1750MB/秒 | 最高250K IOPS | 最高250K IOPS |
Crucial P1系列采用美光64层3D QLC NAND,集成SLC写入缓存,主控采用慧荣SM2263,带DDR3(2TB是DDR4)。M.2 2280规格形态,提供500GB、1TB、2TB三种容量选择,其中2TB采用双面颗粒,走PCIe 3.0 x4通道,符合NVMe 1.3接口规范。
性能方面,500GB的顺序读写分别1900MB/s和950MB/s,随机读写90K/220K IOPS;1TB的顺序读写可达2000MB/s和1700MB/s,随机读写提升至170K/240K IOPS。
耐用性方面,日全盘写入0.1次,每500GB的总写入字节数为100TBW,提供5年质保。