Phison PS5016-E16
Phison PS5016-E16

采用PCIe Gen4 x4 NVMe，支持96层3D NAND闪存，支持8通道，搭载DRAM，最高读写速度可达到5000 MB/s和4400 M

群联 2019-01-23
YS9203 SSD控制芯片
YS9203 SSD控制芯片

支持主流厂商的3D TLC/QLC，PCIe 3.0x4接口，符合NVMe1.3规范。

得一微电子 2019-01-12
StorArt SA3801 SSD控制器
StorArt SA3801 SSD控制器

采用PCIe 3.0 x 2接口，符合NVMe 1.2规范，支持 3D MLC/TLC，最大支持容量2TB。

衡宇芯 2018-11-01
Phison PS3112-S12系列
Phison PS3112-S12系列

适用于SATA SSD的八通道主控，支持NVMe 1.3新标准、3D NAND，持续读写速度为560MB/s、530MB/s。

群联 2018-08-10
STAR1000P NVMe SSD控制器
STAR1000P NVMe SSD控制器

支持NVMe 1.3规范，PCIe 3.0 x4通道，支持ONFi 4.0及Toggle 3.0规范，IO速率800Mbps，支持2D/3D SLC/MLC/TL

忆芯科技 2018-08-10
SM2270 SSD控制芯片
SM2270 SSD控制芯片

支持PCIe Gen 3 x 8接口，符合NVMe 1.3协议，支持主流NAND制造商的最新3D NAND，包括96层TLC 和QLC闪存。

慧荣 2018-08-09
Phison UFS 3.0主控系列
Phison UFS 3.0主控系列

采用UFS 3.0、HS-Gear 4、双信道接口与传输，支持3D NAND、八组NAND颗粒，容量最大达512GB。

群联 2018-08-08
YS8293EN eMMC控制芯片
YS8293EN eMMC控制芯片

支持1x/1y/1z nm 2D NAND和3D MLC/TLC NAND，支持eMMC5.X接口协议，单通道，4CE。

得一微电子 2018-07-12
YS6285 SD控制芯片
YS6285 SD控制芯片

支持SD6.0 , 符合A1标准，随机 IOPS 读写 >1500/500，支持LVS。

得一微电子 2018-07-12
Marvell 88SS1084 SSD控制芯片
Marvell 88SS1084 SSD控制芯片

采用通用硬件和固件控制芯片架构，支持4通道，PCIe Gen3 x4 接口，可提供高达3.6GB / s的带宽和每秒高达700

美满 2018-06-06
Marvell 88SS1100 SSD控制芯片
Marvell 88SS1100 SSD控制芯片

支持8通道，PCIe Gen3 x4 接口，可提供高达3.6GB / s的带宽和每秒高达700,000 IOPS。

美满 2018-06-06
YS9083XT SSD控制芯片
YS9083XT SSD控制芯片

支持主流厂商的1x/1y/1z nm 2D NAND和3D MLC/TLC/QLC NAND，支持SATA3.2协议。

得一微电子 2018-06-05
SiS850 SSD控制芯片
SiS850 SSD控制芯片

支持PCIe3.0x4通道，符合NVMe 1.3协议规范，FLASH接口可达八信道，支持32位 DRAM缓存高效传输。

矽统科技 2018-06-01
SiS750 SSD控制芯片
SiS750 SSD控制芯片

支持2D/3D TLC NAND，SATA 3.0 6Gb/s接口，读取与写入性能分别550MB/s和500MB/s。

矽统科技 2018-06-01
SiS832 SSD控制芯片
SiS832 SSD控制芯片

支持PCIe3.0x4通道，符合NVMe 1.3协议规范，FLASH接口可达四信道，支持16位DRAM缓存高效传输。

矽统科技 2018-06-01

报价中心

厂商快讯

更多
⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

厂商动态

更多

最新财报

更多

厂商新品

更多