Phison PS5016-E16

采用PCIe Gen4 x4 NVMe，支持96层3D NAND闪存，支持8通道，搭载DRAM，最高读写速度可达到5000 MB/s和4400 M

产品分类：控制芯片 品牌：群联
应用领域： SSD
产品白皮书 发布于：2019-01-23
Phison PS5016-E16 共3个产品
系列 接口标准 NAND Flash 支持容量 连续读取 连续写入 随机读取 随机写入 DRAM
PS5016-E16 PCIe Gen4x4 NVMe 3D TLC 500GB 最高5000MB/秒 最高2500MB/秒 最高400K IOPS 最高550K IOPS DRAM-Base
PS5016-E16 PCIe Gen4x4 NVMe 3D TLC 1000GB 最高5000MB/秒 最高4400MB/秒 最高750K IOPS 最高750K IOPS DRAM-Base
PS5016-E16 PCIe Gen4x4 NVMe 3D TLC 2000GB 最高5000MB/秒 最高4400MB/秒 最高750K IOPS 最高750K IOPS DRAM-Base

产品概览

群联联合AMD率先发布全球首款PCIe Gen4 x4 NVMe SSD控制芯片-PS5016-E16，支持96层3D NAND闪存，支持8通道，搭载DRAM，最高读写速度可达到5000 MB/s和4400 MB/s，保持技术的领先优势。

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据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

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⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

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美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

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三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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