便携式SSD主控SM2322
便携式SSD主控SM2322

支持3D TLC/QLC NAND，可提供2,100MB/s 和 2,000MB/s 的峰值连续读写传输速度，最大容量可支持8TB。

慧荣 2024-05-30
Tenafe TC2310
Tenafe TC2310

专为数据中心工作负载而设计DRAM-base控制器，满足以最低延迟提供出色的IOPS/watt。

特纳飞 2023-12-28
Tenafe TC2201
Tenafe TC2201

TC2201是PCIe Gen4 DRAM-less SSD主控，具有 4 个支持高达2400 MT/s 的通道。

特纳飞 2023-06-30
便携式SSD主控SM2320
便携式SSD主控SM2320

提供四个NAND通道，顺序读写速度最高可达2,100/2,000MB/s，最大支持容量4TB。

慧荣 2023-04-18
PCIe Gen5主控SM2508
PCIe Gen5主控SM2508

采用台积电6nm EUV工艺，功耗降低50%，整体功耗不到7W，能效比PCIe Gen4 SSD 高1.7 倍。

慧荣 2023-02-17
PCIe Gen4主控SM2268XT
PCIe Gen4主控SM2268XT

采用双核ARM R8 CPU，支持4个NAND通道，每通道最高可达3,200 MT/s。

慧荣 2023-02-17
Tenafe TC2200
Tenafe TC2200

采用12nm工艺制程，具有4个支持高达1600 MT/s 的 NAND 通道。

特纳飞 2022-11-17
SMI企业级控制器SM8366
SMI企业级控制器SM8366

支持现有的和下一代 3D NAND 存储器类型，提供超过14 GB/s 的持续顺序读取性能。

慧荣 2022-07-29
英韧科技Tacoma IG5669
英韧科技Tacoma IG5669

Tacoma采用4通道PCIe 5.0接口，具有16/18个NAND通道，支持NVMe 2.0、DDR5及ONFI 5.0等最新技术协议。

英韧科技 2022-05-27
Phison PS5026-E26
Phison PS5026-E26

E26支持最新一代的NAND Flash接口ONFl 5.0和Toggle 5.0实现高端性能。具有8个通道32个芯片支持(CE)

群联 2022-05-10
MAP1202
MAP1202

采用22nm工艺技术，突破性能功耗极限，以其三高一低“高性能、高稳定、高安全、低功耗”的卓越品质

联芸科技 2021-12-01
MAP1602
MAP1602

四通道（无外置缓存）实测顺序读性能高达7400MB/s的PCIe 4.0 SSD主控芯片；BALL PITCH 0.65mm

联芸科技 2021-12-01
PS5021-E21T
PS5021-E21T

Phison PS5021-E21T将在21年Q4量产，不含DRAM，采用PCIe 4.0 x4，最大容量可达4 TB

群联 2021-11-01
RainierQX (IG5220)
RainierQX (IG5220)

RainierQX具有四个NAND通道，可通过ONFI 5.0或 Toggle 2.0/3.0/4.0接口，支持SLC、 MLC、TLC和QLC NAND闪存

英韧科技 2021-09-15
Marvell Bravera SC5 SSD主控
Marvell Bravera SC5 SSD主控

支持 PCIe 5.0 和 NVMe 1.4b，支持最新3D NAND QLC、TLC和 SLC技术，延长SSD使用寿命。

美满 2021-05-27

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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