据韩媒报道，三星电子在生产过程中应用了自主研发的下一代低温焊接（LTS）技术，成功解决了SOCAMM2的翘曲问题。作为低功耗内存模块，SOCAMM2与HBM一同集成到NVIDIA的下一代AI平台“Vera Rubin”中。

据韩媒报道，三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机，为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产，将同时制造通用内存和HBM。三星电子预计将从2027Q2开始为平泽P5 PH1安装图案化设备，届时该阶段的洁净室施工也将完成，有望在2027年内贡献产能，满足英伟达 "Rubin" 与其它AI XPU的需求，纾解当前DRAM市场的供应紧张态势。

三星电子公布2026年第一季度营收预估：预计合并营收约133兆韩元（约合881亿美元），环比增长41.7%，同比增长68.1%；预计合并营业利润约57.2兆韩元（约合379亿美元），环比增长185%，同比增长755%。

据媒体报道，三星近日宣布，计划于2030年前实现1nm制程的量产，成为业界首家公开披露1nm生产节点时间表的厂商，拟与台积电争夺先进制程话语权。目前，台积电对外公布的最先进制程路线图已迈入埃米时代。其下一代逻辑制程A14（1.4nm）预计于2028年投入生产。

据外媒报道，苹果正以极高价格囤积市场上所有可用移动DRAM，目的就是阻止竞争对手获取足够芯片。目前这一策略已初见成效：联发科、高通均削减4纳米芯片产量，对应减少1500万至2000万颗移动芯片供应，中低端智能手机市场受影响显著；三星也在韩国上调多款平板及手机售价，间接反映出芯片成本压力。

据韩媒报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

据外媒报道，三星电子即将启动8英寸（200毫米）氮化镓（GaN）功率半导体代工厂的运营，最快于2026年第二季度实现全面投产。该代工厂采用交钥匙服务模式，不涉及芯片设计环节，三星已建立相应的GaN解决方案体系，并具备自产外延晶圆的能力。据行业消息，该氮化镓代工厂初期营收规模预计在1000亿韩元（约合4.62亿元人民币）以内。

值得注意的是，台积电此前已宣布计划于2027年终止氮化镓晶圆生产，而三星半导体最初在2023年宣布2025年投产该业务，实际进度有所延迟。除氮化镓外，三星电子还计划推进碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工业务，两者可在不同耐压区间形成互补。

三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

据韩媒报道，三星电子工会宣布集体斗争行动议案以93.1%的赞成率获得通过，将于5月举行总罢工。分析指出，罢工一旦实施，平泽厂区约一半产能将受冲击，直接影响DRAM与NAND闪存芯片的产能释放。

据外媒报道，受人工智能浪潮推动，2026年AI内存芯片需求预计将持续激增，三星电子正考虑将内存芯片合同转向多年期合约，计划从现行的季度或年度合同延长至三至五年，以稳定供应并缓解市场对关键组件短缺的担忧 。