美股三大指数全线收涨，存储概念股多数收涨

据外媒报道，今年早些时候上任的铠侠社长太田博夫在上个月25日举行的例行股东大会上表示，我们发明了NAND​​闪存，但我们目前还不是第一，即使需要几年时间，我们也一定会重新夺回第一的位置。据CFM闪存市场数据显示，2026年第一季度，铠侠一季度NAND Flash市场份额14.9%，排名第三。

据韩媒报道，由于英特尔、AMD和其他厂商延迟发布支持CXL 3.1技术的CPU，三星电子推迟了基于CXL 3.1技术的内存模块（CMM-D 3.0）的量产计划。业内人士透露，三星电子将暂时维持基于CXL 2.0技术的CMM-D 2.0内存模块的生产。尽管该公司原计划于去年6月开始生产CMM-D 3.0客户样品，但该计划已被推迟。业内人士表示，由于需要额外大规模生产CXL 2.0以满足需求，过渡进程有所延迟。同时，由于CXL 3.1生态系统尚未建立，市场开放速度缓慢。据悉，三星电子回应称：“尽管计划有所调整，但我们正按原计划进行量产准备，不会受到任何影响。” 这意味着今年第四季度有望实现量产。

据媒体报道，博通延续与苹果的合作关系至2031年，该公司将开发和供应定制芯片，巩固其作为iPhone制造商关键供应商的地位。此次合作关系的延长，进一步体现了苹果通过与核心芯片供应商签订长期供货协议，以增强供应链韧性的策略。

7月7日，A股四大指数集体低开，沪指跌0.54%，深成指跌0.46%，创业板指跌0.44%，科创综指跌1.1%。个股方面，截至发稿，江波龙跌超6%，德明利、佰维、大普微跌超4%，兆易跌超1%，联芸跌0.4%。

三星电子公布其2026年第二季度的业绩预期：预计营收171万亿韩元（约合1119亿美元），环比增长27.74%，同比增长129.32%；预计营业利润为89.4万亿韩元（约合585亿美元），环比增长56.22%，同比增长超18倍。

7月7日，日韩股市双双低开。韩国KOSPI指数开盘下跌1.6%，报7919.20点；日经225指数低开0.4%，报69460.08点。个股方面，截至发稿，三星电子跌超6%，SK海力士跌超5%，铠侠跌超11%。

当地时间7月6日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨0.29%，报53055.91点，续创历史新高；标普500指数涨0.72%，报7537.43点；纳斯达克综合指数涨1.12%，报26121.16点。其中，大型科技股多数收涨，AMD涨超6%，高通涨超5%，谷歌C涨超2%，谷歌A、苹果涨超1%，英伟达、亚马逊分别涨0.37%、0.61%，微软跌0.96%；存储板块多数收涨，西部数据涨超7%，希捷涨超5%，美光涨0.96%，闪迪跌0.03%。

威刚公布6月营收达146.61亿元（新台币，下同），环比增长13.28%，同比增长212.06%，已连续四个月刷新历史纪录，第二季营收381.6 亿元，环比增长46.1%，同比增长198.5%，累计上半年营收达642.72 亿元，同比增长183.33%，已超越去年全年530.43 亿元。第二季DRAM营收贡献为60.5%，SSD 31.9%，存储卡、U盘及其他产品比重为7.6%。

创见公布6月营收50.68 亿元（新台币，下同），环比减少19.53%，同比增长381.55%，第二季营收188.15亿元，环比增长38.06%，同比增长482.44%，累计上半年营收324.44 亿元，同比增长422.17%；受惠DRAM、Flash 价格双双大涨，创见上半年营收不仅已超越去年全年171.25 亿元，更几乎较去年全年营收翻一倍。

SK海力士发布公告，更正其关于发行存托凭证（DR）的决定，将发行总额由原先的45.4534万亿韩元调整为43.1407万亿韩元。此次更正是为了修正此前向美国证券交易委员会（SEC）提交的F-1注册文件中的相关条目。根据披露信息，新发行的存托凭证（DR）的发行价格由原先的2,555,000韩元调整为2,425,000韩元。相应地，每份存托凭证的发行价格也由原先的255,500韩元调整为242,500韩元。ADR计划于10日在纳斯达克市场正式上市交易，新股计划于14日完成认购和缴款后，于29日正式上市。

SEAJ发布预测报告称，受AI服务器先进逻辑芯片投资热潮带动，叠加以HBM为核心的DRAM产线投资大幅扩容，2026财年（2026年4月-2027年3月）日本半导体设备厂商全球设备销售额，从此前2026年1月预估的55004亿日元上调约两成，上调金额达10498亿日元，最新预期为65502亿日元；相较2025财年同比大幅增长26.0%，年度销售额将首次跨过6万亿日元关口，连续第三年刷新历史峰值。此外，还大幅上调2027财年日本半导体设备销售预期，由此前预估的56104亿日元上调至74017亿日元，同比增长13.0%，有望连续第四年创历史新高。

华为半导体业务总裁何庭波在中科院科技论文预发布平台ChinaXiv上线《面向多层级电子系统的时间缩微理论》V2版本，这是“韬（τ）定律”自5月25日正式发布后的首次重大内容更新，标志着该理论从框架提出阶段进入工程实证阶段。相较于5月25日发布的V1版本，新版论文在原有理论框架基础上，补充了大量工程落地细节、实测量化数据与产品演进路线。论文还预计，到2035年前后，在逻辑折叠、3D Folding、Unified Bus和Hi-ONE等多项技术协同演进下，AI硬件整体集成度有望较2026年提升100倍以上。

据外媒报道，由于中板PCB的制造仍面临重大挑战，Kyber NVL144机架架构被推迟12个月至2028年推出。面对Kyber的制造困难，NVIDIA 此前曾尝试开发一种过渡解决方案——NVL72x2 背靠背机架架构。该解决方案的设计理念是将两个 Oberon 机架背靠背放置，并使用纯铜 NVLink 互连来扩展域，以规避与 Kyber 中板相关的制造挑战。据悉，该方法也因云厂商认为其设计笨拙且运营成本高昂而被取消。此外，NVL576通过NVSwitch之间的CPO连接8个Oberon机架，也可能因目前的CPO挑战而推迟发布或仅限于小批量生产。

据外媒援引爆料人士消息称，苹果A20 Pro芯片将放弃使用了约13年的64位带宽内存，转而采用96位LPDDR6。这意味着iPhone 18 Pro和Pro Max将成为苹果首款搭载96位LPDDR6内存的机型，总带宽可达102GB/s。据悉，每部iPhone 18 Pro系列的内存成本预估已从iPhone 17 Pro系列的39美元飙升至145美元，若最终确认采用LPDDR6，成本预计将进一步走高。为平衡整机生产成本，苹果选择在NAND闪存上压缩开支，在大容量机型上采取了降本策略。据悉，iPhone 18 Pro系列的256GB、512GB版本将沿用常规TLC NAND闪存，而1TB、2TB大容量版本则改用速度更慢、成本更低的QLC NAND闪存。

据媒体报道，亚马逊AWS已通知相关供应链供应商，将增加2026年第三季度的出货量，预计出货量将在原出货量的基础上再增加20%至30%，这表明AWS对Trainium 3的销售前景持乐观态度。

闪迪在官网宣布，其第10代3D NAND闪存技术BiCS10 1Tb TLC开始提供样品。据介绍，BiCS10 TLC采用332层堆叠设计，闪存 I/O接口速度达到 4.8GB/s。与BiCS8相比，输入功耗降低了10%，输出功耗降低了34%。

据媒体报道，美光科技于周六举行日本西部工厂扩建奠基仪式，该扩建项目投资1.5万亿日元（折合93亿美元），用于生产高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片，主要服务于AI处理器需求，预计相关产品将在2028年夏季左右开始出货。据悉，日本经济产业省将提供最高约5000亿日元补贴支持。该项目是美光全球AI存储产能扩张计划的一部分，公司同时在美国爱达荷州和纽约州推进大规模先进制程投资，以提升DRAM与HBM供应能力。

摩根大通最新《数据中心观察》报告显示，6月大模型调用量、API支出及非云厂商GPU租赁价格同步走强，表明AI基础设施需求仍在扩张。尽管模型Token价格同比继续下滑，但使用量增长已明显覆盖降价影响，模型提供商的单位经济性总体呈改善趋势。

南亚科技公告2026年6月营收为新台币293.88亿元，同比增长621.34%，环比增长6.21%。今年1-6月累计营收为1,316.36亿元新台币，同比增长643.12%。