台积电原先规划在龙潭园区三期兴建1.4nm制程的晶圆厂,原先预定2026年开始建厂,规划在2027~2028年之间进入量产。
群联电子执行长潘健成表示,群联是目前全球市场上唯一能同时提供PCIe 5.0 Redriver、Retimer以及企业级SSD的全方位高速传输与存储方案供货商;不仅产品线最完整,能通过群联累积超过23年的研发经验,协助全球的服务器与高速运算系统客户进行系统整合以及兼容性的验证测试,更重要的是,群联能提供各种客制化的系统加值设计服务,与客户共同打造具有差异化的高附加价值系统产品,摆脱『Me Too』的价格竞争市场。
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据韩媒报道,有预测认为,随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈,未来DRAM制程可能引进混合键合技术,以提高DRAM的集成度,量产64Gb以上的DRAM产品。
三星已开始为这一转型采购最新的半导体设备,新机器预计将在今年年底交付。
美光宣布推出适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD,采用美光232层3D NAND,随机写入性能比竞争对手的硬盘高出242%。
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引述消息人士说法,三星正考虑自第4季起增产DDR5,并规划持续减产DDR4通用产品、NAND Flash成熟制程产品。
据韩国科学技术信息通信部16日公布的数据,9月韩国信息通信技术(ICT)出口额180.6亿美元,同比减少13.4%,已连续15个月呈降势,但降幅收窄至年内最低纪录。
在 2021 年 1 月的财务业绩电话会议上,三星电子表示:“我们将在未来三年内进行有意义的并购。” 然而,距离目标或时间表仅剩四个月了,还没有任何消息或更新。
Smart Global公布2023财年第四季度(截止8月25日)的最新业绩,该季度净销售额为3.167亿美元,同比下降12.6%。
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媒体报道,此前,美国豁免无限期延长三星和SK海力士对其位于国内厂区的半导体设备管制,台积电也获一年豁免。台积电今天表示,南京工厂已获准持续营运,同时正在申请大陆营运无限期豁免。
目前,Intel 7和Intel 4已实现大规模量产,Intel 3正在按计划推进,目标是2023年底,采用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术的Intel 20A和Intel 18A目标是2024年量产。
然而,消息称,由于SK海力士对铠侠进行间接出资,而SK海力士可能对此次合并进行了反对投票,因此能否在本月内达成协议仍有变量。
存储主要市场中,NAND Flash的整体涨幅更为一致,DRAM不同产品的涨幅存在较大差异。
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据媒体报道,佳能开始推出纳米压印半导体制造系统,在近期一份声明中,佳能表示,随着技术的持续进步和优化,纳米压印设备将有望实现下一代2nm的生产水平。