消息称SK海力士加速研发3D堆叠式DRAM

存储器 2026-07-24 15:31

据韩媒ZDNET援引业内人士消息,SK海力士最近通过其位于圣何塞的美国子公司招聘3D堆叠式DRAM逻辑设计工程师。据悉,3D堆叠式DRAM逻辑芯片设计是一种尖端的堆叠技术,它将DRAM直接垂直堆叠在逻辑半导体(系统半导体)之上。预计在生成式AI之后的物理AI时代,该技术将成为采用端侧部署方式的边缘AI设备的核心半导体技术。SK海力士正加速研发3D堆叠式DRAM,并已和特定客户建立合作关系,推进相关技术的落地应用。

简讯快报

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