近日,佰维特存重磅推出TGQ200系列,搭载 PCIe Gen4x4接口+ NVMe2.0协议的高性能架构,容量覆盖 512GB-4TB。产品融合 -40℃~85℃ 宽温适应、过压过流防护、数据保护与 S.M.A.R.T 智能监测等多重可靠性设计。

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据业内人士透露,三星内部正在讨论将30-40%的1a DRAM产能转换为10nm级第五代 (1b) DRAM。如果将成熟工艺线(例如1z)的转换投资也算进去,三星将确保每月额外获得8万片(基于晶圆)的 1b DRAM 产能。

今年迄今为止,全球半导体设备出货量已接近1000亿美元,创下前三个季度的历史新高。强劲的人工智能需求持续推动先进逻辑与存储芯片领域投资,同时带动了面向能效优化的封装应用投资。

原厂产能被高毛利的HBM、DDR5持续吸纳,传统DDR4以下的产能遭明显排挤,价格一路走高,并外溢至利基型DRAM,晶豪科技产品结构以DDR2、DDR3为大宗。

12月2日晚间,江波龙发布定增预案,拟募资不超37亿元,用于面向AI领域的高端存储器研发及产业化项目、半导体存储主控芯片系列研发项目、半导体存储高端封测建设项目以及补充流动资金。

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此外,三星还在研发速度更快的HBM4变体,目标是将性能提升40%,最早可能将于2026年2月中旬发布。

作为紫光展锐的重要生态伙伴,佰维存储携多款高集成、小型化、高性能的前沿存储方案亮相,包括 ePOP4x、UFS、LPDDR5X、uMCP、Mini SSD 等,为智能穿戴、AI 手机、AI PC、具身智能、AI 教育等场景提供面向端侧 AI 的全场景存储解决方案。

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据业内人士透露,三星电子已将P5的投产日期定在2028年,但鉴于目前的筹备速度,投产日期可能会提前。由于人工智能(AI)的普及,半导体需求迅速增长,三星电子正在寻求快速确保产能。

其中,半导体出口额同比大增38.6%,为172.6亿美元,连续9个月保持增势,并刷新单月最高纪录。今年前11个月半导体累计出口额高达1526亿美元,已超越去年全年(1419亿美元)。

美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建,将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能,且将在2028年6-8月开始出货,2030年3-5月以最大产能进行生产。

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十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位,以保留支持重点客户与市场的弹性。

在此次组织结构重组中,三星电子DS部门成立了“存储器开发部门”,该部门将统一管辖原存储器事业部下属的DRAM开发室和NAND Flash开发室。

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佰维存储荣获2025年度“‘中国芯’优秀支撑服务企业”称号,公司已连续两年蝉联该奖项。

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在C-HBM4E阶段,为实现将内存控制器集成于基础裸片,从而节省计算芯片面积等目标,台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称,该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。

兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择,支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。

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