消息称美光探索开发近GPU NAND闪存，以增强AI工作负载性能

美国商务部长霍华德・卢特尼克近日接受采访时表示，特朗普政府正在制定芯片关税框架，相关关税即将落地。卢特尼克部长告诉CNBC电视台，将采取有针对性且审慎的关税政策。他解释道，如果在美国生产，就不需要缴纳关税；否则，就必须准备为进入全球最大市场付出代价。据悉，关税范围最终可能不仅限于芯片本身，还会扩展到配备半导体的成品，例如笔记本电脑、游戏机和数据中心服务器。

据媒体报道，美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案，研究如何将NAND闪存更靠近GPU，以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”（Near-GPU NAND），旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池，但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池，LLM将不再受限于内存。

近日，高通进一步披露了新一代 Adreno GPU的变化。高通下一代SoC将成为首款在图形处理管线中配备专用AI GPU核心的芯片组。这“矩阵核心”将紧密集成在新Adreno GPU的三个1.45GHz GPU切片中。骁龙芯片的Adreno GPU还将配备专用的18MB HPM（高性能内存）缓存。这一容量听起来或许并不起眼，但高通表示，其HPM能为GPU提供大容量、低延迟的内存，使得基于图块的渲染、帧缓冲区和计算任务能够保留在图形子系统本地。

南亚科技公告2026年8月合并营收新台币446.9亿元，月增1.9％、年增560.9％，再创单月历史新高；1-8月累计营收新台币2,201.94亿元，较去年同期大增638.2％。法人认为，2026年DRAM市况维持正向，价格走势呈逐季向上，预计今年下半年DDR4价格仍有20％以上涨幅。南亚科技第三季毛利率可望续扬，第四季有机会维持与第三季相近水准。此外，AI带动高阶DRAM需求，加上DDR4供给持续收敛，将成为南亚科技下半年营运主要成长动能。

当地时间9月2日，美股三大股指集体收涨。截至收盘，道琼斯工业平均指数涨0.56%，报收53061.95点；纳斯达克指数涨0.45%，报收26217.83点；标普500指数涨0.46%，报收7666.6点。其中，大型科技股涨跌互现，英伟达涨超3%，高通涨超2%，谷歌A、谷歌C分别涨0.63%、0.53%，亚马逊涨0.02%，微软、AMD、苹果分别跌0.84%、0.55%、0.05%；存储板块表现分化，SK海力士、美光涨超2%，闪迪涨超1%，希捷跌0.99%，西部数据跌0.34%。

中兴通讯终端事业部总裁、努比亚技术有限公司总裁倪飞发文称，努比亚 NaviX Ultra 已正式拿到入网许可，并宣布豆包手机（预计指努比亚 NaviX Ultra）计划 9 月开售。

美光表示将向中国台湾地区员工发放历年最高的绩效奖金，具体激励奖金分红方案预计在 10 月公布，在此之前将持续通过既有沟通渠道与团队成员保持对话。

据媒体报道，英伟达已经重新启动此前搁置的Rubin CPX项目，预计明年一季度投产。相较于先前设计，新版CPX大幅强化预填充(prefill)效能，并对其规格和机架架构作出重大改动。DRAM规格由原来采用128GB GDDR7改为采用168GB HBM4，机架改用独立MGX ETL设计，客户可选64/128/192/256颗GPU配置，每64颗构成一个机架模组，由八个运算托盘（各含8颗CPX）与一个交换托盘组成。

据媒体报道，台积电在将高带宽内存（HBM）与人工智能（AI）加速器相结合的高级封装中，预计短期内仍将采用现有的微凸点封装技术，而非混合键合技术。主要原因是在良率、检测和量产方面难以轻易放弃已获验证的方案。考虑到材料开发周期，预计更精细的微凸点将持续用到第四代后期至第五代初期的HBM中。据悉，台积电已向材料和设备合作厂商要求开发5微米（μm）级接合和底部填充技术，为进一步缩小目前先进封装中使用的微凸点尺寸。韩国和日本的供应链已开始投入开发，预计5微米级凸点的量产将于后年下半年实现。

Google 供应链基础架构资深总监Nikhil Cherian 近日在某高峰论坛上指出，DRAM供给相当紧张，Google已开始把退役服务器中的DDR4重新回收利用，将DDR4整合进最新世代的AI服务器中，更坦言即便这样还是不够，呼吁存储厂必须快速扩产。

Nikhil Cherian直言，对云端服务厂商而言，若投入数十亿美元建置的AI处理器，因等待存储频宽而闲置，就等同大量运算资本支出遭到浪费，因此Google现阶段不是单纯在意存储器价格，而是更在意有没有足够的存储器，让昂贵的AI芯片持续维持高度运算。

据韩媒报道，三星电子MX（移动体验）事业部为提升其Galaxy系列设备的盈利能力，正寻求采购渠道多元化，以减少对集团内部零部件的依赖。该事业部已将美光、铠侠列为主要供应商。同时，MX事业部正在考虑将京东方的OLED面板应用到其高端S系列手机中。

龙芯中科近日就23亿元定增计划回复交易所问询，并披露募集说明书修订稿。根据方案，龙芯中科拟向不超过35名特定对象发行不超过4010万股股票，募集资金总额不超过23亿元。资金将主要投向四大领域：基于Xnm工艺的信息化芯片研发及产业化项目（9.71亿元）、基于Xnm工艺的CPU关键核心技术研发项目（4.85亿元）、基于Xnm工艺的通用GPU关键核心技术研发项目（3.60亿元），以及补充流动资金（4.83亿元）。龙芯中科表示，通过本次募投将形成"CPU+GPU"全栈产品矩阵，分桌面CPU、服务器CPU、通用GPU三条主线推进。

戴尔管理层在最新财报电话会议上表示，企业正加快数据中心现代化改造，AI尤其是智能体工作负载正在形成新的基础设施需求。基于当前订单和需求，公司将2027财年全年营收指引中值由1670亿美元上调至1920亿美元，AI优化服务器全年营收预期由600亿美元上调至740亿美元。

在被问及当前最主要的供应限制时，戴尔副董事长兼首席运营官杰夫·克拉克称：“限制因素依然如旧，就是DRAM、DRAM、DRAM，其次是NAND、NAND、NAND。”

普华永道预计，为满足全球不断增长的人工智能(AI)需求，到2050年全球数据中心累计支出将达到31.6万亿美元，投资规模将超过铁路、互联网和电气化等历史性基础设施建设浪潮。报告称，如果AI普及速度超过其“基准情景”预期，未来约25年的数据中心支出甚至可能达到50万亿美元。相比之下，美国国内生产总值(GDP)目前约为30万亿美元。随着消费者、企业和政府越来越多地使用AI，微软、亚马逊等科技巨头以及规模较小的数据中心运营商正快速在全球建设新的算力设施。大部分投资将用于数据中心的内部设备，包括AI芯片、存储芯片、网络设备和服务器。

据媒体报道，台积电的CoWoS订单已排满至2027年，部分客户甚至需要等待一年以上才能拿到订单。在台积电供应瓶颈持续的情况下，英特尔的新技术作为替代方案正受到关注。据悉，联发科在近期财报电话会议上正式宣布，计划同时采用CoWoS和EMIB-T技术，大规模开发人工智能专用集成电路（ASIC）；博通和Meta也在考虑从CoWoS过渡到EMIB以降低成本，而谷歌和英伟达也对EMIB-T表现出浓厚的兴趣。

Omdia数据显示，2026年第二季度拉美地区智能手机市场出货量同比下降12%至3,030万部。DRAM和NAND成本上涨逐步传导至零售价格，对入门级设备的需求影响最为明显。厂商和渠道商此前通过提前备货和库存缓冲，在第一季度部分抵消了成本上涨的影响。但进入第二季度，这些缓冲作用有所减弱，市场低端需求面临更大压力，而中端、高端和高端旗舰市场表现则相对更具韧性。

戴尔科技2027财年第二季度（截至2026年7月31日）AI服务器方面，营收达到164亿美元，同比增长100%，环比几乎持平。虽然增速较Q1的757%有所放缓，但绝对规模持续扩大，增长主要体现在订单与积压。当季斩获创纪录的609亿美元AI服务器订单。过去12个月，戴尔AI服务器订单累计已经超过1300亿美元。季末积压订单高达950亿美元，较Q1末的513亿美元几乎翻倍。AI基础设施客户数量已突破6500家，覆盖新云平台、主权客户和企业客户。

传统服务器与网络方面，营收达到105.3亿美元，同比暴增122%，增速甚至超过AI服务器，成为本季度最大的"意外惊喜"。戴尔首席运营官Jeff Clarke在财报电话会上表示："过去两个季度，戴尔传统服务器和网络业务的收入，已经接近公司历史上任何一个完整财年的水平。"他解释称，随着AI工作负载从训练、推理进一步向智能体（Agentic）应用扩展，企业对CPU计算能力的需求也随之增加，从而拉动传统服务器需求。在过去两个季度戴尔传统服务器市场份额提升了 超过10个百分点。

据外媒报道，谷歌人工智能基础设施负责人表示，谷歌正在加快开发和推出其定制芯片的步伐，将每代芯片的周期从两年改为每年推出两款甚至更多芯片，以在人工智能竞赛中保持领先地位。

据韩媒The Elec报道，近日当被问及公司是否考虑在日本建设半导体工厂时，SK集团董事长崔泰源表示：“我们正在进行评估，待讨论结束后将发布公告。”据悉，宫城县已提议将位于大平村第二仙台北部核心工业园区内一块约30万平方米的地块作为SK海力士工厂的潜在选址。关东、北海道和九州地区也被认为是SK海力士在日本设立生产基地的潜在地点。SK海力士表示，正在考虑在日本投资建设半导体工厂，公司正评估各种可能性，但尚未做出任何决定。该公司表示指出，董事长崔某并未提及建立合资工厂、具体生产产品或具体的投资地点。

韩美半导体推出HBM4生产设备“TC Bonder 4”和新一代HBM生产设备“Wide TC Bonder”。随着全球存储器厂商今年开始量产HBM4，“TC Bonder 4”的供货量正在增加，而“Wide TC Bonder”计划于明年发布。“Wide TC Bonder”支持更大尺寸DRAM芯片的HBM生产，能够随着芯片面积的扩大稳定增加TSV和I/O数量，从而相比传统机型提升存储器容量和带宽。