佰维成功研发并发布了支持CXL 2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块。佰维CXL 2.0 DRAM采用EDSFF(E3.S)外形规格,内存容量高达96GB,同时支持PCIe 5.0×8接口,理论带宽高达32GB/s,可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板直连,扩展服务器内存容量和带宽。

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深圳佰维存储科技股份有限公司(简称“佰维”)受邀出席本次论坛,实力斩获2024 IC风云榜“年度技术突破奖”、“年度最佳雇主奖”双料大奖。

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据外媒报道,三星电子已将位于美国德克萨斯州泰勒的新半导体工厂的量产开始时间推迟至2025年。最初,预计将于明年开始批量生产。据推测,延迟与美国政府补贴和各种许可复杂性相关的问题相关。

过去广颖以NAND Flash产品为主,但也持续扩大不同存储产品销售,近年来DRAM产品占比提升,截至今年前3季,占比已超17.6%,未来将会扩展DRAM业务,尤其是电竞相关领域。

日月光投控补充,此次目的主要是集团内厂房空间整体规划及有效运用,并扩充封装产能。

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江波龙向广东省高级人民法院(以下简称“广东高院”)提起上诉,要求将一审判决卢浩、赵迎、深圳市晶存科技有限公司(以下简称“晶存公司”)三被告共同赔偿的金额14,183,388.42 元(不包括案件受理费、保全费、鉴定费等费用),改判为共同赔偿公司经济损失 132,044,822.64 元(不含案件受理费、财产保全费、鉴定费、鉴定人出庭费、审计费等)。

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据报道,三星电子计划逐步扩大智能传感器的开发和应用范围。目的是开发可用于各种半导体工艺而不仅限于等离子体的智能传感器和系统。

按出货区域,10月份日厂于日本国内的电子零件出货额较去年同月增加16.7%至951亿日圆、连续第9个月增长;对中国出货额下滑1.6%至1,371亿日圆、连12个月陷入萎缩;对美洲出货额下滑4.7%至442亿日圆、对欧洲出货额成长1.4%至399亿日圆、对亚洲其他地区出货额大减16.1%至755亿日圆。

美光计划增加2024会计年度的资本支出,但高层承诺会「极度节制」(extremely disciplined)。

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随着半导体库存调整告一段落,京元电子第一大客户的需求已逐步回温,且随CoWoS产能积极去瓶颈下,AI、HPC芯片测试需求看升,预期明年AI业绩占公司营收比重将达到1成以上,都是推动营运成长的助力。

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印度政府已经采取了多项措施来促进包括半导体、智能手机和电动汽车在内的电子产品制造行业发展,鼓励对电子产品及家电进行大规模投资并推动出口。

供应链透露,联电将12nm制程技术授予英特尔,双方近期已签订合作意向书。因为联电12nm采用Arm架构,对主攻x86架构的英特尔产生互补性。另外,联发科已成为联电12nm制程首批客户,预计2025年正式量产。

英特尔CEO Pat Gelsinger承认半导体行业步伐已经放缓,晶体管现在每三年增加一倍,这实际上大大落后于摩尔定律的步伐。摩尔定律认为芯片的晶体管数量每两年增加一倍。

报告预测,明年IT行业景气有望回暖,推高对存储半导体、人工智能服务器、数据中心等的需求,进而拉动半导体行业大幅向好。

据媒体报道,日本半导体制造设备销售额同比连续6个月萎缩,11月份大减11%、连5个月出现2位数降幅,不过1-11月销售额仍创同期历史次高水准。

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