目前3D DRAM研究最活跃的公司是美光。美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，估计是其竞争对手的两倍多。

专家预测，如果在安装TEL演示机后评估结果良好，三星电子的氧化蚀刻设备份额将发生较大变化。据了解，在三星电子3D NAND闪存生产过程中，沟道孔的钻孔工艺将采用TEL混合氧化物刻蚀设备。

美光在会谈上表示，为了量产下一代DRAM、将扩大对广岛工厂的投资；英特尔表示，在后段制程上、将扩大和日本芯片设备商的合作；三星表示将在日本设立后段制程的研发投资中心；应用材料表示，将和日本官民半导体企业Rapidus加强合作；正在熊本县兴建工厂的台积电也表示、将进一步扩大在日本的投资。

NOR Flash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品都已有样品可提供给客户。

项目拟利用中厨大厦改造装修建设eMMC产品线及研发中心。项目计划在2023年三季度建成并进入批量生产阶段，届时公司系列存储模组产能在原大浪工厂产能基础上得以扩充。

外媒报道，据称，美光科技公司从日本政府获得约2000亿日元的财政补贴，以助其在日本广岛生产最先进的DRAM。

与其常规 DIMM 不同，Crucial 在其 Pro 系列模块中增加了对 AMD EXPO 和 Intel XMP 3.0 的支持。AMD EXPO仅适用于 DDR5 模块，而DDR4 模块支持 Intel XMP 2.0。

小池淳义表示，通常大规模量产先进工艺需要至少1000名工程师，但他们引入了AI和自动化技术，现在有500名工程师了，用一半的资源就能完成。

据韩媒报道，据业内人士透露，三星电子设备解决方案（DS）部门近日以涉嫌泄露包含关键技术的文件为由解雇了工程师A，并要求国家有关部门进行调查。

据日媒报道，据两名参与会议筹备的消息人士透露，日本首相岸田文雄计划18日与台积电、三星等在内的全球半导体公司高层会面，希望这些海外芯片商能够积极赴日投资。

据三星电子透露，以车载DRAM为基准，LPDDR的占有率增加到55%。消费者和客户端占有率分别为25%和20%。

今后3年期间(2023年度-2025年度)的设备设资额最高将达8,500亿日圆，其中的4,000亿日圆将用于半导体相关事业，对半导体的投资规模将达此前3年间(2020年度-2022年度)的2.3倍水准，将用于扩增IC基板、半导体制造设备用陶瓷零件产能。