3D DRAM：实际量产或要等到2030年，美光相关研究最领先

预计3D DRAM结构的详细开发将在未来两到三年内展开。作为应对微处理限制的下一代 DRAM 工艺，3D DRAM 正在引起人们的关注。目前，美光在相关研究方面最为领先。 

据韩媒报道，Tech Insights Fellow Choi Jeong-dong 日前在研讨会上表示，“正在积极研究 3D DRAM 作为现有 DRAM 的替代品。”

3D DRAM是一个类似于3D NAND闪存的概念。通过使 DRAM 堆叠，有望提高性能和空间效率。然而，由于3D DRAM仍处于早期发展阶段，技术概念或具体方向尚未确定。业界预计未来两到三年内将确定电池结构的具体方向。

Choi Jeong-dong表示，“目前，业界正在进行很多关于3D DRAM结构的研究，由于电池结构仍处于早期阶段，实际量产将在2030年后成为可能。”

在业界，对于3D DRAM的开发，必须待JEDEC明确定义，这是因为只有标准组织制定了下一代存储器的标准，材料、零件和设备的研究和开发才有可能。然而，由于微处理限制导致的成本问题在 DRAM 领域也越来越多，预计不需要应用EUV设备的3D DRAM的研究将变得更加活跃。

目前3D DRAM研究最活跃的公司是美光。美光正在积极关注，如果3D DRAM技术有所突破，它可以在没有 EUV 设备的情况下制造出比现有 DRAM 更好的 DRAM。 

美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，估计是其竞争对手的两倍多。Choi Jeong-dong表示，“3D DRAM的开发正在注册各种专利。目前正在研究8层、12层、16层、18层的原型。”