兆易创新9月1日召开2026年半年度业绩说明会。DRAM方面,公司预计DRAM产品在下半年还会延续上涨的态势,价格会转为温和上行。展望2027年,DRAM行业增量产能释放相对有限,DRAM供应的紧张局面不会明显缓解,行业景气周期相对较长,产品价格预计呈高位震荡态势。NAND方面,公司预计NOR Flash产品价格温和上涨预计仍将持续一段时间,其中大容量产品价格涨幅相对明显;SLC NAND Flash供应短缺目前仍未出现显著缓解,公司预计其景气周期至少延续至2027年全年。
长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后,第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。
由于供应正转向以需求为导向的定制化模式,即便下行周期到来,也不会像过去那样出现严重的供过于求问题。郭鲁正表示:"即便下行期到来,需求也不会急剧萎缩,而是趋于放缓或维持在计划水平。因此,我对2030年之后的前景并不担忧。"
在HBC的制造环节,高通仅负责设计和系统集成,开发位于DRAM芯片下方的计算裸片,并提供TSV设计方案。三星电子和SK海力士则负责DRAM的堆叠工作。高通计划与台积电合作,完成各项技术的集成与封装。
订单经双方书面确认起生效,交付期限为订单生效后 18 周内。订单还就产品名称、产品数量、单价、付款条件等内容进行约定。
据日媒报道,因AI普及,带动存储需求激增,为加快高性能产品的增产投资,铠侠将在岩手县兴建NAND Flash新厂房,预估投资额将超过1兆日圆(约合62.78亿美元)。铠侠高层将在27日访问日本首相官邸,宣布新厂兴建计划。
在兼容性方面,LPDDR5X-PIM采用与现有LPDDR5X相同的封装和内存控制方式,无需额外的内存控制器即可直接应用于现有系统。通过按照JEDEC制定的封装标准开发产品,使用现有LPDDR5的用户可以轻松切换到LPDDR5X-PIM。
在2048引脚配置下,14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s;当速率提升至16Gbps时,单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。
由于初步协议被否决,劳资双方预计将立即进入重新谈判阶段。预计具体的调整将集中在关键争议点上,例如计入绩效奖金的库存股比例以及股票拆分出售的条件。
HBM 的堆叠层数正不断攀升:早期为4层,当前主流12-16层,未来方向20层以上。层数越多,带宽和容量越大,但功率密度也随之急剧上升,散热难度显著增加。这已成为 HBM 进一步扩展面临的核心工程挑战。
据韩媒报道,尽管AI驱动的内存需求加剧了DRAM的供应短缺,但预计三星电子今年下半年的增产速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先考虑从10nm第五代(1b)工艺向10nm第六代(1c)工艺的过渡,更加注重提高良率而非扩大产量。
据台媒报道,FADU商务长金泰均(Tony Kim)近日表示,存储短缺情况至2027年仍难明显改善,主因新增产能从投资、建厂到量产需要时间。FADU产品布局已由PCIe Gen5延伸至Gen6、Gen7。据悉,Gen6控制器今年上半年完成chip out,预计下半年起出货;Gen7设定传输效能目标达每秒57GB,针对数据处理需求重新设计架构,目前正与客户讨论规格,预计2028年开始送样验证。
据媒体报道,Primemas将于今年下半年与美光科技合作开始量产JBOM(just a bunch of memory)。该系统将多张CXL存储卡组合成一个更大的共享存储池。公司计划在明年年底前通过Compute Express Link (CXL) 内存解决方案创造2亿美元的收入,该解决方案可在单个服务器上支持超过100TB的内存。
从HBM4开始,先进逻辑工艺将被应用于基础芯片(Base Die),存储器和系统半导体之间的界限正变得越来越模糊。这意味着AI加速器与HBM的协同优化变得至关重要——与其分别开发AI芯片和HBM再进行整合,不如从产品设计的早期阶段就对二者进行联合优化。
据韩媒报道,三星电子计划将其京畿道平泽半导体基地的核心设施——P5 1号和2号工厂,从现有的"双层晶圆厂"结构升级为"三层晶圆厂"结构。旨在顺应全球AI半导体和存储器"超级周期",最大化产能。