台湾DRAM产业近期蜡烛两头烧,第3、4季面临严峻的跌价压力,反映在各业者第3季财报上,又适逢新台币汇率大幅升值,等于双重利空夹击,市场普遍看衰DRAM厂第4季营运表现!
内存模块厂十铨(4967)对于2011年的内存产业需求看好,认为DDR3价格下跌,将引发市场需求,成长性仍可期待。另外,固态硬盘(SSD)热潮可望卷土重来、USB 3.0的应用需求也将启动,均将为NAND Flash带来强劲的需求。
台湾DRAM厂毛利率差、负债比偏高,给予DRAM四雄南科(2408)、华亚科(3474)、力晶(5346)、茂德(5387)都是「低于大盘表现」评等,四文件个股目标价总和不到30元。
DRAM产业供给过多、需求不振的问题持续发酵,9月下旬DRAM合约价持续下跌5~6%,其中1Gb容量DDR3价格跌破2美元,1条2GB容量DDR3模块价格来到34美元,DDR2合约价也同样下跌5~6%。
全球NAND Flash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下,9月下旬合约价续跌,其中,32Gb芯片合约价下跌5~6%,64Gb芯片大跌9~10%。
时序即将步入传统淡季,记忆体价格一去不回。最新公布9月下旬的DRAM合约价持续下跌,DDR3 1Gb颗粒合约价大跌5.83%,均价一举跌破2美元到1.97美元,直逼目前有效测试颗粒现货价格1.83美元。
9 月下旬动态随机存取记忆体 (DRAM)合约价出炉,包括DDR3 1Gb及DDR2 1Gb颗粒合约价同步走跌,并同创今年新低价。
三星再次主导UFS(Universal Flash Storage)全新规格,试图把外接式记忆卡SD和内嵌式内存eMMC和eSD等所有接口都进行大统一,2011年上半将推出USF 1.0版本,抢回NAND Flash产业规格制订发球权。
8月后DRAM价格下跌走势渐趋明显,使多数DRAM业者叫苦连天,但三星、海力士等南韩企业却仍然信心满满,是因为韩厂席卷了相较之下价格稳定且获利性较高的服务器、行动装置、显卡等特殊DRAM市场。
9月下旬DRAM合约市场价格继续下跌走势,其中DDR3主力合约价格下跌幅度依然没有收窄迹象,而DDR2由于已经逐步淡出OEM市场,加之产能在逐步减少等原因,价格基本上处于弱势盘整状态,买卖双方并未将其作为重点。
DRAM产业制程竞赛相当激烈,三星电子(Samsung Electronics)的技术制程往往领先对手1个世代,其最新一代的35奈米制程预计第4季将试产,年底前会占整体产能约10%,给对手相当大的压力;
固态硬盘(SSD)问世多年,在华硕Eee PC一战铩羽后,上、下游业者多年来对SSD产品线相当失望,然SSD业者忆正储存却反其道而行,避开流血杀价的消费性市场,在军事、航空和工业领域SSD市场上逆势打下一片天;
随着时序即将进入第4季,各厂的封测代工价格陆续洽谈中,但DRAM客户因景气因素,要求封测厂降价的压力较前3季明显,尤以台厂降幅较大,幅度为2~3%左右。平均而言,第4季整体代工平均单价(ASP)降幅大于第3季。
虽DRAM价格走跌,但因制程提升,产出增加,DRAM厂9月营收有撑。配合外资法人近期逢低回补,股价底部垫高,今华亚科(3474)早盘强攻,南科(2408)、力晶(5346)、茂德(5387)等股全数上扬。
日本DRAM龙头厂尔必达(Eplida)将自今(2010)年12月起利用旗下广岛工厂开始量产30nm前半(34nm以下)等级的DRAM产品,其制程细微化脚步将超越于今年7月开始量产35nm DRAM的南韩三星电子。