DRAM产业制程竞赛相当激烈,三星电子(Samsung Electronics)的技术制程往往领先对手1个世代,其最新一代的35奈米制程预计第4季将试产,年底前会占整体产能约10%,给对手相当大的压力;尔必达也宣布30奈米世代的2Gb DDR3将于2010年12月进入量产,亟欲赶上三星的进度。
尔必达阵营的力晶和瑞晶2010年都从65奈米转进63奈米制程,成本结构降低20%,瑞晶目前已大量转进45奈米制程,以利成本持续下降,力晶也紧跟在后。
再者,同为尔必达阵营的茂德目前则正在导入尔必达63奈米制程,年底前预计占12吋晶圆厂3.5万片。
在南亚科和华亚科方面2010年第2季南亚科从68奈米转进50奈米制程,而华亚科从75奈米转进50奈米,两家公司下半年主流制程都在50奈米世代,且下一步将导入42奈米制程,预计42奈米制程的成本会比50奈米再降低约30%。
在3X奈米制程世代,南亚科和美光也是共同研发。