超越三星 尔必达传12月量产30nm前半等级DRAM

存储器 中国闪存市场 Helen 2010-09-29 10:47
日本DRAM龙头厂尔必达(Eplida)将自今(2010)年12月起利用旗下广岛工厂开始量产30nm前半(34nm以下)等级的DRAM产品,其制程细微化脚步将超越于今年7月开始量产35nm DRAM的南韩三星电子。尔必达股价闻声大涨6%,尔必达周三股价大涨近 74日元或8.12%,收 985日元。
报导指出,和尔必达现行最先端的46nm制程产品相比,生产成本将较40纳米制程减少约三成,采用30nm前半制程的产品,其每片晶圆所能取得的芯片数可增加约45%,生产成本则可降低约30%,在疲弱的PC需求拉低DRAM价格时,将有助尔必达未来发展。
报导指出,除了广岛工厂之外,尔必达也计划将30nm前半制程技术移转至台湾子公司瑞晶,并将于2011年内进行量产。据报导,以12吋晶圆换算,目前广岛工厂及瑞晶月产能合计为21万片,尔必达并计划于数年后将其产能比重的7成转换至30nm等级,以提高生产效能。
发言人表示,尔必达拥有全球最先进的技术,也将超越三星电子的技术。

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