工控内存产品解决方案业者宜鼎再度推出D150 SATA模块系列产品线,采自行独家开发的控制芯片ID101,可处理不正常断电(power cycling),保护数据不会突然流失,同时也强化数据传输的效能和稳定度,提供工业储存领域另一个新解决方案选择。
东芝日前发布基于24纳米工艺的“SmartNAND™”系列产品。通过此产品,东芝将进一步扩大其NAND闪存的产品线。“SmartNAND™”在NAND封装中集成错误管理系统。
动态随机存取记忆体(DRAM)产品价格1月落底,2、3月逐月攀升,展望未来,台湾岛内外DRAM厂一致看好DRAM后市表现。
2011年全球Mobile RAM市场规模将成长71%达29亿GB,使得各大内存厂都陆续推出新制程和高容量的 Mobile RAM产品抢食商机;日前三星电子(Samsung Electronics)即宣布,4月起将量产采用30奈米制程的Mobile DRA
近年来DRAM和NAND Flash标准型产品市场趋于饱和且成熟化,内存模块厂开始耕耘工控内存,面对模块厂来势汹汹,工控内存解决方案领导业者宜鼎指出,不担心同业跨入抢饭碗,同时期许宜鼎在2014年能成为台湾工控业者前3大,届时宜鼎将以工控产品零组件供货商之
由于PC OEM厂商正在积极囤积库存,内存芯片厂商南亚公司计划四月份将其产品的价格提价5%。报道还称三星公司已经知会其客户称4月上半月将对旗下内存芯片产品涨价5-6%,2Gb密度DDR3内存芯片的合约价格有望爬升到2美元以上。
受到日本发生超级强震,引发DRAM供货吃紧疑虑,由于客户备货动作转趋积极,南科(2408-TW) 4月合约价拟调涨5%,此为继3月调升价格3-5%后,再度上调价格,也可望挹注业绩表现。
据报导,分析师V 3月31日重申美国DRAM大厂美光(Micron Technology Inc.)投资评等为「买进」,目标价上看17美元。费城半导体指数成分股美光31日下跌0.95%,收11.47美元;月线上涨3.05%,为连续第4个月收高。
由于客户备货转趋积极,DRAM厂南科(2408)计划调涨4月合约价,涨幅约5%,这是继3月调涨产品售价3~5%后,再度涨价,实际调幅4月中旬才确定。
虽然日本强震导致半导体生产链供货不顺,但是因各家电脑大厂手中仍有 1-2个月库存,所以4月及5月份电脑出货仍没有太大问题,由于英特尔修正版6系列晶片组已恢复正常供货量,OEM厂已开始放大英特尔Sandy Bridge平台出货。
日本311强震过后,DRAM和NAND Flash涨价效应持续发烧,内存模块厂3月营收将脱离低潮期,回到1月高峰水平、甚至超过,包括创见、威刚、宇瞻、群联等3月营收都大幅成长,其中,创见、宇瞻等单季毛利率有机会挑战2位数,威刚则将转亏为盈,群联单月营收挑战
第2季的NAND Flash产业供给和需求都是同步减少,地震带动NAND Flash价格上涨主要已反映在3月的合约价上,预计4月的NAND Flash产业多空因素杂陈,合约价未必会持续上扬,但有机会持稳,但在第2季中之后,可能会因为淡季效应的扩大而回软。
海力士(Hynix) 30日召开定期股东大会,社长权五哲表示,DRAM价格已触底,市况可望进入恢复期,而权五哲对NAND Flash市况,也抱持肯定的态度,他表示,受日本地震影响,NAND Flash价格攀升,下半年内存芯片市场将可望出现反弹。
日本311强震,让半导体产业陷入硅晶圆供货不足阴霾中,但也让生死边缘的DRAM产业有机会从泥淖中解脱,虽然地震后DRAM价格没有真正大涨,但后市价格逐渐加温是共识,3月DRAM合约价已小幅上扬,4月预计也将持续小涨。其中在NAND Flash合约价方面,地
南韩内存大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市,发表脱离谷底的看法,对于台系DRAM厂而言,可望注入强心针。