DRAM价格2、3月逐月攀升 后市看俏

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-04-06 08:37
动态随机存取记忆体(DRAM)产品价格1月落底,2、3月逐月攀升,展望未来,台湾岛内外DRAM厂一致看好DRAM后市表现。
DRAM市场去年第4季因需求疲弱不振,加上DRAM厂制程推升效益显现,产出持续扩增,市场严重供过于求,产品价格惨跌5成,岛内DRAM厂全数面临亏损窘境。
今年1月除因传统淡季效应外,英特尔晶片组瑕疵问题,也影响个人电脑出货,致DRAM市场需求持续疲软,冲击DRAM价格进一步破底。
根据调查1月下旬DDR3 2Gb颗粒现货均价最低曾达1.76美元,合约均价也达1.84美元,已逼近DRAM制造厂的变动成本。
不过,随着岛内外DRAM厂纷纷决定将产能移转生产行动记忆体等产品,在未来供给可能减少,产品价格下跌空间有限的预期,加上电脑内建DRAM容量回升带动下,让DRAM价格在1月顺利落底。
随后在市场回补库存,及日本发生大地震,进一步带动2、3月DRAM价格逐月攀升;岛内DRAM厂南科即在2月调涨产品价格1%至3%,3月再调涨产品价格3%至5%。
展望第2季,随着英特尔晶片问题解决,个人电脑恢复正常出货,且个人电脑代工厂开始针对欧美返校需求备料,尤其,日本大地震恐将造成矽晶圆等原料短缺,各界一致看好DRAM后市。
美国记忆体大厂美光 (Micron)即预期,DRAM与储存型快闪记忆体 (NAND Flash)可望逐步走出谷底。韩国记忆体大厂海力士 (Hynix)也预期,记忆体市场将自第2季开始复苏,转趋供需平衡。
估计信越化学福岛白河厂与SUMCO山形米泽厂因地震停工,恐将影响全球矽晶圆产能减少20%至25%,预期第2季DRAM合约价可望较第1季扬升20%至25%。
南科也表示,日本地震冲击矽晶圆供应程度比预期严重,产业恐将面临缺料窘境,部分客户已开始忧心第2季DRAM供应恐将减少,积极备货。
南科因而计划4月再调涨产品售价,涨幅将高于3月的3%至5%,估计第2季产品价格可望较第1季上涨1成以上水准。
岛内另一DRAM厂力晶科技也因看好DRAM后市,决定改取被动销售策略,以保留合理库存。

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