Intel与镁光公司本周四将对NAND业务合作事宜作重要宣布,不过两家公司并没有透露这次宣布的详细内容是什么。据分析:“我认为他们这次可能会宣布终止双方的合资公司IMFT在新加坡设立的闪存芯片厂项目上的合作。这间工厂目前正计划开始投产25nm制 程NAND
2010年USB 3.0是科技产业炙手可热的题材,但泡沫吹太大,现实环境跟不上脚步,回头检视USB 3.0市场表现,始终是差强人意,只能寄望2011年USB 3.0 Host端能提升系统端的渗透率,才能卖得动应用端产品,否则USB 3.0将落入未盛先衰的命
DRAM内存芯片合约价20日期间攀升6.59%,正式进入恢复势。DRAM价格逐步回升,南韩媒体指出,韩厂三星电子(Samsung Electronics)及海力士半导体(Hynix) 2011年第2季营收与第1季相比,可获得大幅改善。
日本再度发生强震,断链疑虑再起,不过,以国内料源为主的DRAM合约大厂南科 (2408)今表示,在电脑系统厂担心后续断货心理而备库存下,随本月合约价持续调涨成功,预估第二季的DRAM报价仍将有逐月调涨的表现,整体出货及营运表现都会比第一季好。
2011年USB 3.0 Host芯片的USB-IF Logo认证头香,第1轮由美商德仪(TI)和睿思突围,台系IC设计公司全军覆没,德仪4-Port和2-Port的USB 3.0 Host共2颗产品通过认证,睿思2-Port的FL1009芯片也闯关成功,
Cypress宣布加入USB 3.0战局,继过去USB 2.0 FX2控制芯片后,正式推出第1款USB 3.0控制芯片EZ-USB FX3产品,并搭载通用型可编程接口(GPIF II)和ARM9处理器核心,锁定视讯、打印、扫瞄等外围应用范畴,并可兼容于US
目前2GB容量DDR3模块价格调涨至18美元,换算2Gb芯片报价回升至2美元,预计2GB模块报价回升至20美元指日可待,如果硅晶圆吃紧问题持续,预计5、6月可顺利回升至此价位。
四月上旬合约价再度呈现价格上扬的趋势,DDR3 2GB均价自17美元上涨至18美元(2Gb $2.03),涨幅约5.88%,DDR3 4GB均价亦上涨至35 美元(2Gb $2.03),涨幅约在6.1%。
DRAM和NAND Flash价格趋于稳定,内存模块厂3月营收也春暖花开,其中创见和威刚表现最为亮眼,分别较上月成长54.1%和52.6%,超过1月水平创下2011年新高;
DRAM报价受到日本强震影响,现货价和合约价都出现止跌翻扬的讯号,主要是硅晶圆供货在5月之后是否顺畅,目前仍是未定数,第2季内存市场恐有供给吃紧的情况发生,在预期心理的影响下,促使下游通路商和系统大厂提前补货的意愿增高。
DDR3 DRAM 价格止跌翻扬,供给短缺预期下,第 2 季需求开始成长,华亚科 (3474-TW) 将因此受惠,力成 (6239-tw) 值得买进,列入亚太区首选买进名单,目标价 120 元。
日本老牌内存模块厂荻原系统(Hagiwara Sys-Com)由于负债累累,日前惊传申请日本民事再生法,亦即破产保护,让业界相当震惊。荻原过去在内存模块领域曾经红极一时,成立时间也超过30年,与NAND Flash大厂东芝(Toshiba)更是关系紧密,但
日本芯片大厂尔必达(Elpida Memory JP-6665)发言人齐藤英树(HidekiSaito)今天接受电话专访指出,尔必达已开发出4 Gb容量的DRAM(动态随机存取内存),并订于6月起量产。
半导体厂商英特尔(Intel)、美光(Micron)准备推出制程更微缩的NAND Flash,将NAND Flash内存密度倍增,进一步降低固态硬盘(SSD)制造成本。
日本地震效应推波助澜,DRAM报价展开触底反弹之旅,台系业者南亚科、华亚科、力晶等3月营收都交出漂亮成绩单!其中华亚科受惠制程转换顺利的效应逐渐浮现,3月营收达36.29亿元,较上月成长达32.26%,成为月增率之冠,力晶和南亚科3月营收也分别成长14%和