半导体厂商英特尔(Intel)、美光(Micron)准备推出制程更微缩的NAND Flash,将NAND Flash内存密度倍增,进一步降低固态硬盘(SSD)制造成本。
英特尔、美光合资企业IM Flash Technologies(IMFT),约在1年前推出25奈米制程芯片,预计2011年夏初就将推出20奈米制程企业级SSD以及PCIe扩充卡标准。美光NAND产品组策略营销主任Kevin Kilbuck在储存网络世界大会(Storage Networking World)上向Computerworld表示,这将成为业界领导驱力。
新的PCIe卡(型号P320h)将是美光首台企业级SSD(型号P300)的后继产品,两者皆使用SLC(Single-Level-Cell)NAND Flash内存,但P320h改基于独立冗余节点数组(Redundant Array of Independent Nodes;RAIN)技术。
RAIN的网格储存架构可协同处理器和磁盘空间为单一单元,以美光的例子来说,即可将额外的NAND Flash储存空间用作快取或缓存,提升性能。
与逐渐侧重MLC(Multi-Level-Cell)的英特尔不同,美光认为SLC将是企业尖端级别SSD的未来,即使该级别可能只占SSD销售的10%,Kilbuck认为,这10%市占率至2014年将占SSD市场利润的50%。
另一方面,英特尔称其最受欢迎的消费型SSD(型号X25-M)卖得比企业级SLC SSD(型号X25-E)还好,企业用户购买比率约是7:1~8:1,因此英特尔未来计划专注开发企业级MLC NAND。
美光也承认该公司的消费型SSD(型号C400)卖得比企业级SSD(型号P300)还好,不过从营收规模看,美光预期企业级产品会和价格便宜的消费型产品相当。
美光将企业级SSD分3个类别。企业性能产品基于PCIe和SAS接口,锁定在线事务处理(OLPC)、高性能运算及关系数据库应用;企业主流产品基于SAS和SATA接口,锁定网络服务器和数据快取应用;企业价值产品基于SATA接口,锁定开机磁盘、长期储存、数据易地储存(data vaulting)或DRAM卸除点应用。
美光企业级SSD产品营销经理Kevin Dilbelius表示,云端应用正在刺激高性能Flash储存需求,例如用以协助刀锋服务器架构处理在线串流视讯。
IMFT在NAND Flash内存微缩制程上取得不少突破,在25奈米制程时已接近原子尺寸。举例而言,人类发丝比25奈米粗3,000倍,如果人类发丝宽度是1英里,那25奈米就等于20英吋。进入到20奈米制程后,将只有少数公司拥有可以生产SSD的IP。
Kilbuck表示,在50奈米制程时,许多厂商都可以生产SSD,但在20奈米制程,情况彻底改观。微缩半导体有许多先天困难,最明显之处就是硅墙越薄数据错误率就越高,因此需要更复杂的揪错码(error correction code ;ECC)和信号处理算法,并利用重迭分区(overprovisioning)避免数据遗失。
Dilbelius表示,该公司认为SSD产业将出现转变,因为第3方厂商根本没有IP作为基本筹码。