DRAM价格续涨 可望恢复至1美元

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-04-13 08:25
DRAM内存芯片合约价20日期间攀升6.59%,正式进入恢复势。DRAM价格逐步回升,南韩媒体指出,韩厂三星电子(Samsung Electronics)及海力士半导体(Hynix) 2011年第2季营收与第1季相比,可获得大幅改善。
外电引述DRAMeXange报告指出,DRAM主要产品DDR3 1Gb 1066MHz 3月上半的平均合约价,相较3月下半已攀升6.59%,至0.97美元,该市调机构每上下半月各发表1次DRAM主要产品价格,2010年12月下半DRAM价格为0.97美元,首度崩落1美元。至2011年3月上半,DRAM价格皆在1美元以下徘徊。
南韩业者表示,DRAM主要产品价格2010年底出现2位数跌幅,进入2011年后已停止下跌,并开始回升,2011年DRAM市况将可望恢复2010年初荣景。业界分析指出,DRAM价格上升,也受到日本地震某种程度影响。
业者表示,2011年初便已预测DRAM价格将出现反弹,因此无法判定是受到日本地震直接性的影响,然而价格上升幅度较预期更大时,计算机制造商中长期来说可能受到日本地震影响,包含DRAM等零组件的库存水位可能将升高。
另一方面,主要DRAM价格终于逼近1美元,三星和海力士的半导体收益,将会较第1季出现大幅改善。业界预测,三星半导体事业部及海力士第2季可望创造2.3兆韩元(约21.18亿美元)及5,000亿韩元(约4.6亿美元)的营业利益。

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