南科 (2408-TW)、华亚科 (3474-TW) 第 1 季业绩再度令人失望,尽管公司认为 Dram 价格第 2 季以后就可逐月走高至 7 月,但是,外资对此仍不买账。 据报导, DRAM 价格走扬主因在于供应链拉货力道强劲,并非需求转强,仍维持对
NAND Flash近月来都呈现供不应求,主因平板电脑、智慧手机等大量采用,应用面多元化,需求非常大。但NAND Flash新产能开出有限,使得市场仍会一路看缺好一阵子。
受到DRAM记忆体厂的产能排挤,以及市场传出韩系DRAM厂减少利基型 DRAM投片量,让利基型DRAM近期供给愈趋吃紧,钰创科技董事长卢超群昨日表示,利基型记忆体目前缺口约2位数百分比,对于第2季、第3季的利基型记忆体的价格看法审慎乐观。
钰创(5351)今日参加柜买中心业务发表会,董事长卢超群亲自出席,他对于今年USB3.0主端控制IC的成长力道相当乐观,并表示在降价以及英特尔新芯片Sandy Bridge上市的双重因素激励下,需求已急速升温,以钰创本身来说,到今年第一季底,累计出货量已超
25日英特尔和美光共同宣布,将投资30亿美元在新加坡12吋晶圆厂,预计以25奈米切入,2011年底前将达满载产能水平,英特尔这项宣布等于是表态要继续投资NAND Flash产业,破除外界担心英特尔会中途放弃的疑虑。
DRAM和NAND Flash标准型内存市场越来越成熟,模块厂获利空间也越来越有限,继投入发展DRAM和NAND Flash以外产品如数字相框、外接式硬盘盒后,工控领域成为模块厂的新蓝海,尤其是固态硬盘(SSD)应用兴起后,更带动工控内存市场的需求起飞。
内存模块龙头大厂金士顿(Kingston)认为日本强震过后,虽然有原物料缺货的杂音,但短期之内影响不大,因此第2季DRAM价格持平机率高,同时寄望第3、4季DRAM报价有机会往上走;
个人计算机(PC)势力没落,云端商机带动的服务器商机却炙手可热,除了DRAM厂纷纷跨足服务器内存领域外,模块厂更积极抢食此块大饼,首桩内存模块产业跨国购并案即将出炉,宜鼎预计购并美系服务器内存模块厂Actica,金额约新台币5亿以内。
据报告,产业波动已成全球DRAM产业的常态,打断了DRAM制造商的复苏,业者2011年的信用结构发展方向将持续分歧,所有DRAM业者未来几季都将面临如何保卫本身信用质量不致趋于恶化的艰难挑战,而具有较广泛之产品分散性的大型DRAM制造商,更有能力可以抵御当
英特尔与美光科技合作推出新制程技术,让智慧手机、平板计算机中的闪存容量更大、体积更小,今年下半年可望推出小于美国邮票,却有128GBs储存容量的样品。
据报导,分析师报告以内存合约价持续上升、业界扩产速度仍有节制为由,将美光(Micron Technology, Inc.)的第3季度(3-5月)每股盈余预估值由0.21美元上修至0.22美元,2011/2012会计年度每股盈余预估值也由0.80美元/1.6
台湾DRAM厂非标准型记忆体布局逐步开花结果。南科(2408)、华亚科行动记忆体陆续小量出货,抢进平板电脑、智慧营手机商机;力晶代工业务本季单月投片量可望突破4万片,创历史新高。
快闪记忆卡巨擘SanDisk Corporation 20日发布新闻稿宣布推出全球最先进、采用19奈米制程技术的64Gb 2bps (X2)NAND型闪存(NAND Flash)。SanDisk将可藉由这项技术生产高容量、小尺寸的内嵌可抽取式储存装置,以便
台塑(1301)集团旗下DRAM品牌厂南科(2408)发言人白培霖表示,美国经济逐渐复苏,企业端的需求转趋热络,加上英特尔Sandy Bridge新芯片修正后重新上市助阵,终于等到迟来的企业换机潮,预期接下来,DRAM合约价每月都会涨,第三季展望依旧乐观,
南科(2408)、华亚科(3474)昨日公布财报,受到首季DRAM的 ASP仍下挫23%冲击,两家DRAM厂分别亏损90.32亿元、40.44亿元,合计亏损130.76亿元,仅较上一季度合亏147亿元减少11%。