日前传出英特尔(Intel)和美光(Micron)成立的IM Flash合资公司5年合约到期后,将宣布最新合作动向,外界将焦点放在新加坡厂;25日英特尔和美光共同宣布,将投资30亿美元在新加坡12吋晶圆厂,预计以25奈米切入,2011年底前将达满载产能水平,英特尔这项宣布等于是表态要继续投资NAND Flash产业,破除外界担心英特尔会中途放弃的疑虑。
再者,美光日前持续加码扩产西安封测厂也正式新厂落成,对此厂房总投资金额也追加至3亿美元;美光从2005年开始在西安投资,以此为半导体封装测试业务基地,当时是陕西省改革开放以来的最大外商投资。
美光在2010年底悄悄启动被全球金融风暴打乱的新加坡12吋晶圆厂生产计划,当时态度低调原因,是因为合资公司IM Flash另一个合作伙伴英特尔并未宣布参与投资,当时美光是独自买设备开工,也让外界对于英特尔持续投资NAND Flash事业的决心大打问号。
其实美光与英特尔在2006年初正式成立IM Flash后,双方签订的5年合约将在2011年正式到期,市场即认为双方新合约谈判重点会在新加坡厂上,不论是英特尔要继续投资,或是确定退出投资,都必须对外说明。
因为目前IM Flash晶圆厂包括美国维吉尼亚州Manassas厂和犹他州Lehi厂,如果英特尔真想退出新加坡厂投资计划,那这座新加坡12吋晶圆厂恐怕不能再以IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的名称对外,势必转为美光旗下的独立晶圆厂,但英特尔若是不再投资新厂,对于美光发展NAND Flash事业的气势恐大打折扣。
美光与英特尔21日正式宣布,将共同投资新加坡12吋晶圆厂,预计将以25奈米制程切入生产,年底前达满载产能水平,预计雇用员工1,200人。
内存业者认为,美光和英特尔合作NAND Flash事业事业后,的确在技术层次和全球市占率上如虎添翼,虽然市占率还比不上三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba),但也挤下海力士(Hynix)窜升为全球三哥,而在技术层次上,更是在34奈米和25奈米领先三星和东芝,如果美光失去英特尔这个投资伙伴,对于未来NAND Flash领域的影响力会有一定程度影响。
业者也透露,这次日本地震恐导致NAND Flash供给更为吃紧,尤其是各种多元化应用如智能型手机、平板计算机等一一崛起,未来对于NAND Flash需求量相当可观,可能也是促使英特尔决定继续投资的催化剂之一。
内存业者进一步分析,由于东芝方面受到硅晶圆缺货等影响,5、6月供货量会大减,之后的供货情况势必视硅晶圆厂复工而定,虽然IM Flash新厂不会这么快加入生产,但势必也可填补一些未来可能的市场缺口,NAND Flash价格将趋于稳定。