快闪记忆卡巨擘SanDisk Corporation 20日发布新闻稿宣布推出全球最先进、采用19奈米制程技术的64Gb 2bps (X2)NAND型闪存(NAND Flash)。SanDisk将可藉由这项技术生产高容量、小尺寸的内嵌可抽取式储存装置,以便应用于手机、平板计算机等装置。
这款19奈米64Gb X2装置为全球体积最小、成本最低的NAND Flash,是与合作伙伴东芝(Toshiba)共同开发出的最新产品。上述产品预定可在本季开始送样,并于2011年下半年进入高度量产的阶段,届时SanDisk还将新增一款3bps (X3)的19奈米装置。
英特尔(Intel Corporation)、美光(Micron Technology Inc.)甫于4月14日宣布推出最新采用业界最小、最先进20奈米制程技术的8GB MLC NAND型闪存(NAND Flash),占主板的面积较英特尔、美光现有的25奈米8GB NAND Flash少了30-40%,可让平板计算机与智能型手机制造商将多余的空间用于体积较大的电池、屏幕或新增的芯片。
三星电子公司(Samsung Electronics Co., Ltd.)已在2010年4月19日宣布领先业界生产用于SD记忆卡、嵌入式内存解决方案的20奈米制程NAND Flash,并于2010年稍后开始生产。全球第2大内存制造商Hynix Semiconductor也在2010年8月利用位于南韩中部的忠清北道清州的工厂开始量产采用20奈米世代制程的NAND Flash。