东芝(Toshiba)于24日公布的中期经营计划中指出,2013年度(2013年4月-2014年3月)该公司合并营收目标为8.5兆日圆,将较2010年度(6.4兆日圆)成长33%;
因需求力道不强,DRAM现货价维持弱势盘整格局,由于PC/NB出货转弱,本月下半年合约价是否续涨仍待观察。DRAM股随台股今日下挫,面临被取消信用交易的南科(2408)今跳空开低,股价呈现破底的状态。
凯钰(5468)推出USB3.0装置超高速快闪记忆碟控制芯片产品eV368,该产品在使用四通道快闪存储器接口搭配非同步式MLC快闪存储器时,缔造全球最快传输速率,即每秒最高可达130Maga Bytes以上的世界级佳绩,提供消费者在传输与储存大量影音档案时
SanDisk公司近日有大动作,以约3.27亿美元的现金和一些其他诱因,收购了企业级固态硬盘(SSD)开发商Pliant Technology。
日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年(2011年4月~2012年3月)的DRAM需求增幅将达到50%/年,但却打算以较上财年减少30%的设备投资额(800亿日元)来应对。从40nm开始采用的嵌入式字
据最新的亚洲半导体报告,针对DRAM价格近期走势,受到PC代工厂库存较低,以及标准型PC用DRAM的供应成长有限的双重原因,将会使得DRAM合约价格维持在较高的价位上。
已经连续2个月营收都创下历史新高的安国(8054),后续展望亦相当乐观,除了储存及影像处理晶片产品出货将持续强劲之外,英特尔及美光的25奈米制程NAND晶片已经陆续开始产出。
据南韩相关业者指出,三星电子(Samsung Electronics)从2011年1月起,向海内外合作业者订购的16产线设备全为NAND Flash生产设备,位于京畿道华城的半导体新厂16产线确定将作为NAND Flash生产线。
一年一度台北国际计算机展(COMPUTEX)即将于5月31日~6月4日登场,2011年内存模块厂参展情况相当踊跃,展出产品包括固态硬盘(SSD)、USB 3.0外接式硬盘盒、随身碟、高速记忆卡、MP3播放器等,并有多家业者趁机推广工控型内存产品,以现场实机
NOR Flash供货商Spansion(飞索半导体)宣布已开始生产1Gb和512Mb的GL-S NOR Flash内存,并采用65奈米制程,相较于其他NOR产品,其读取性能提升45%并具备最快编程速度,将锁定车用电子、消费性电子、游戏应用与远程登录程序(
台湾DRAM业走了四年的辛苦路,展望下半年,市场可望好转,可达供需平衡的状况;但经过四年的折磨,各家均负债不少,且体质大不如韩国厂,未来只能发挥台湾企业的韧性,才不致于被韩国的老大三星重重击倒。
惠普消费桌面产品经理泽维尔•劳沃特(Xavier Lauwaert)在谈到惠普新桌面缺乏Thunderbolt端口时说:“目前大家对PC采用USB 3.0非常满意,我们是否需要采用更新颖的解决方案还没有得到验证。”
越来越多内存模块厂投入高规格快闪记忆卡市场,从一般主流的Class4等级记忆卡跨入SDXC Class10市场,且内存容量持续拉高,日前KINGMAX也正式推出SDXC Class10 64GB高速高容量的防水记忆卡,主打连拍的高速和高容量的需求。
NAND Flash应用产品进入传统淡季的效应在快闪记忆卡和随身碟市场相当明显,预计将持续至6月;系统产品如智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)的需求因为仰赖少数客户的订单,因此淡季效应也仍在,NAND Flash市场从5月
NAND Flash应用生态转变,不只内存模块厂苦思转型之道,NAND Flash控制芯片业者也力求转型,否则只靠快闪记忆卡和随身碟2项应用会很辛苦,转型之路通常是朝eMMC、固态硬盘(SSD)、USB 3.0等3大领域迈进。