东芝(Toshiba)于24日公布的中期经营计划中指出,2013年度(2013年4月-2014年3月)该公司合并营收目标为8.5兆日圆,将较2010年度(6.4兆日圆)成长33%;合并营益目标为5,000亿日圆,将达2010年度(2,403亿日圆)的约2.1倍。其中,2013年度东芝电子组件事业(包含内存等产品)营收目标为1.85兆日圆,营益为2,700亿日圆,占整体营益比重逾半。
东芝指出,2013年度该公司海外营收比重将自2010年度的55%提升至65%,其中新兴国家比重将自24%提升至32%。东芝表示,今后3年内(2011-2013年度)该公司总体投资金额将达2.55兆日圆,其中设备投资额(资本支出;包含投融资)为1.45兆日圆、研发费用为1.1兆日圆,而该投资资金主要用于增产HDD/SSD、从事NAND Flash的细微化工程、增产新型充电电池以因应EV/智能电网的需求、以及扩大新兴国家的产能。
东芝并指出,计划于2013年将12吋SoC委外代工比重自2011年的50%提高至80%以上。东芝并指出,已于2011年3月动工兴建使用于智能型手机的5.5代中小尺寸面板新工厂,并预计于2012年4月启用量产,且东芝目标为生产出全球最高水平的LTPS面板产品,计划将面板精细度自现行的330ppi提升至400ppi的水平。
在NAND Flash部分,东芝表示,该公司和SanDisk携手研发的19nm制程产品将于今年7月进行量产,且与SanDisk合资的12吋 Fab5新厂也预计于今年8月开始进行出货。