南韩三星电子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事业总括部门社长权五铉,及海力士(Hynix)社长权五哲等南韩半导体业界大老近期均异口同声表示,2011年下半内存芯片市况将不透明。
PC DRAM价格2011年第2季以来持续下跌,即使多数内存厂都把12吋晶圆厂产能转到Mobiole RAM和服务器DRAM,且NAND Flash应用相对DRAM领域多很多,仍无法阻止PC DRAM价格持续下跌,整个产业陷入供过于求的窘境。
南科、华亚科6月营收交出下滑成绩单,主要是受到DRAM价格持续滑落拖累,第2季仍难摆脱亏损阴霾,不过,南科仍持续看好,第3季返校潮、企业换机需求出炉,可望带动DRAM市场回温,价格有机会反弹。
苹果反制三星,可能让部分台系厂商加入苹果供应链;动态随机存取内存(DRAM)厂却担心,三星反手调节内存产能及价格,让DRAM价格持续向下破底。
也带动跌深的DRAM族群在买盘加持下,华亚科(3474-TW)、南科(2408-TW)、茂德(5387-TW)早盘率先亮灯冲上涨停,力晶(5346-TW)、劲永(6145-TW)盘中涨幅超过5%,华邦电(2344-TW)也走扬近4%。
在NAND Flash市场库存受到之前日本311地震备货影响,目前库存仍高,且在平板计算机买气不如预期、影响NAND Flash芯片需求等因素下,预计短期内NAND Flash合约价谈判都会维持这种马拉松局面,市场也在观察进入第3季末到第4季初后,供过于求
DDR3内存模块仍是主导2011年的DRAM技术,约占目前DRAM市场的85~90%,预计到2013年将成长至94%。预估要到2014年才会出现DDR4内存模块抢市,约在头一年可抢占12%的市占率,而到2015年则将快速增至56%,反观DDR3则会降至42
7月1日消息,三星电子今日对外宣布,将从本月起量产20纳米级别32GB Micro SD存储卡,该产品将为智能手机提供更好的存储新能。
据报导,蓝色巨人IBM于6月30日在德国慕尼黑研究中心宣布在存储器技术上的重大突破,该公司表示其90纳米大小的处理器将能够被长时间读写多次,而资料不会受到毁损,这将可望长久取代固态硬盘(solid-state disk;SSD)的NAND Flash技术。
苹果(Apple)可携式产品热销,挤压到其他竞争同业市场,压抑Mobile DRAM需求,导致成长力道与预期皆有所落差;同时PC用标准型DRAM市况亦不如预期,不利于内存封测业,皆使得内存封测厂力成科技和华东科技,对短期后势展望持保守观望态度。
据报导,DRAM主要产品合约价格再度下滑,内存芯片业者营收恶化情况可能走向长期。由于欧美地区计算机需求不振,导致DRAM库存水位攀升,DRAM价格直跌。由于8月为计算机用DRAM旺季,因此该月时计算机需求是否恢复,将成为DRAM价格回升关键。
美系内存大厂美光(Micron) 5月底才宣布,第3代低延迟RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已开始送样,预计2011年下半可进入量产,日前正式宣布打入阿尔卡特朗讯下世代网通产品供应链,阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延迟RLDRA
DRAM价格跌幅加深,成了内存模块厂6月营收的拖油瓶,在另一重要支柱NAND Flash稳住阵脚下,各厂6月营收普遍微幅优于5月水平,成长幅度约5~10%不等,但毛利率则受到价格往下,同步向下修正;
由于计算机终端需求疲弱不振,加上OEM厂手中DRAM库存水位高达4~5周,不仅6月下旬合约价续跌5.5%,7月价格可能持续下探。虽国内外DRAM厂已将制程转进40奈米,但现在价格已经无法赚钱,第3季亏损恐将持续扩大,为了降低亏损幅度,业界传出DRAM厂有意
近期DRAM价格杀声隆隆,2大韩系DRAM厂仍持续推动新规格DDR4,并陆续宣布已成功开发DDR4新产品,预计2012年开始生产,然业界预估DDR4规格要普及,至少要等到2013或2014年,才有机会被市场逐渐接受,预计到2015年DDR4比重才会超越DD