三星宣布量产20nm级别32GB Micro SD

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-07-01 17:04
7月1日消息,三星电子今日对外宣布,将从本月起量产20纳米级别32GB Micro SD存储卡,该产品将为智能手机提供更好的存储新能。
随着智能手机市场的扩张,其配件生产技术也在快速演进。三星电子去年开始量产30纳米的相关产品,今年开始20纳米技术。三星电子称,采用20纳米的存储卡速度提升了2倍,写入和读取速度分别为每秒12MB和24MB。
三星电子半导体事业部存储战略营销部负责人副董事长洪完勋表示,该产品近期上市,同最新的智能手机兼容良好,客户和消费者会更加认可。
据了解,三星计划从2012年开始量产20纳米级的64GB存储卡。第三方机构曾预测,32GB的存储卡占市场总量的比重将逐步扩大,到2012年将占到23%的份额。

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