据报导,蓝色巨人IBM于6月30日在德国慕尼黑研究中心宣布在存储器技术上的重大突破,该公司表示其90纳米大小的处理器将能够被长时间读写多次,而资料不会受到毁损,这将可望长久取代固态硬盘(solid-state disk;SSD)的NAND Flash技术。
这次IBM历经10年才研发成功并可替代传统Flash的技术称为「相变式存储器 (phase-change memory;PCM)」技术,写入次数可达1,000万次,为目前Flash存储器的1,000倍,读写速度则是目前Flash存储器的100倍。IBM计划在5年内推动PCM技术的商品化。
目前市面上固态硬盘采用的Flash存储器技术,已经用在多款消费性电子装置,从苹果(Apple)的MacBook Air到手机等大大小小的电子产品,都见得到该产品的踪迹。一般而言,Falsh存储器只能被写入3,000~1万次之间,如果是企业用硬盘,写入次数大概最多在10万次左右。
另据报道指出,IBM研究中心通讯部门经理Christopher Sciacca告诉Computerworld记者,指出目前手机和MP3播放器的写入次数大概是3,000次,不过对企业来说,这样的写入次数不够,因为企业会在1个小时内就写入超过3,000次。
为了解决储存装置的硬件问题,IBM和半导体巨擘英特尔(Intel)纷纷投入PCM技术的研发:后者在2006年9月推出了PCM芯片,而前者投入研发的期间已达10年之久。
目前PCM技术仍在起步阶段,快闪存储器领导厂商恒忆(Numonyx)执行长Ed Doller告诉eWEEK记者,指出IBM和恒忆在过去5年内取得了不少PCM技术上的突破,目前主流IT厂商采用的速度仍慢,不过该技术未来可望获微软(Microsoft)和苹果等两家大厂将采用,带动PCM技术席卷IT产品市场。