今年4-6月韩厂(三星电子+Hynix)全球DRAM市占率达史上新高的65%。iSuppli表示,目前单一国家所获得的DRAM市占率以日系厂商于1980年代后期所创下的75%为最高,韩厂今年4-6月的市占率则居次。
存储器封测厂联测总经理徐英琳表示,Ultrabook及云端服务器,将成为推升DRAM价格回升的二大助力。他研判,DRAM价格最快可望在第四季反弹,一年后供过于求将大为改善,价格更会强劲走扬。
平板计算机及智能型手机新品上市,刺激储存型快闪记忆(NAND Flash)供货需求回笼,NAND Flash本月供过于求的状况有减缓趋势,有助价格止稳上扬。群联(8299)、威刚、创见、宇瞻等相关概念股也为迎接下波反弹,扩大布局。
NAND Flash市场库存消化一直到8月才逐渐告一段落,8月下旬NAND Flash合约价成功站稳,32Gb芯片开始上涨,64Gb芯片则是持平。存储器业者指出,9月起陆续有新款平板计算机、智能型手机、Ultrabook机种问世,系统厂已开始为NAND F
然面对当前的存储器市况,DRAM价格仍处于低迷期,现货市场的小小反弹激不起太多涟漪,而NAND Flash市场商机转到内嵌式存储器eMMC和固态硬盘(SSD)上,前者模块厂能吃到的大饼有限,而后者除了通路市场外,OEM订单必须与品牌系统大厂配合。
看好SSD市场成长动力,金士顿(Kingston)积极强化SSD产品于台湾市场的布局,掌握包括企业应用、消费性应用、云端运算等各项SSD市场商机,预估今年下半年SSD亚太区出货将较上半年成长150%。
东芝(Toshiba Corporation)1日宣布,全球首款内建无线局域网络(Wireless LAN)功能的SDHC记忆卡「FlashAir(THNSW008GAA-A)」(8GB容量)将于2011年11月送样,预估正式销售时点为2012年2月。
美国国际贸易委员会(ITC)31日宣布,决定对一些DRAM与NAND型闪存装置以及有关产品进行调查,此项引起争议的产品广泛用于个人计算机(PC)、笔记本电脑、服务器、USB快闪碟、记忆卡、固态硬盘、MP3播放器、手机、数字相机与平板计算机当中。
据国外媒体报道,受自身债务加重、持续亏损和芯片价格下跌等不利因素影响,包括中国台湾的茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)、力晶科技 (Powerchip Technology Corp.)和日本尔必达(Elpida Memory I
近几个月以来DRAM价格持续跌落,在个人计算机用市场中,其价格较2011年5月相比,已然下滑约33%。个人计算机销售低迷、其搭载的存储器容量增加有限,再加上平板计算机需求不振,是令DRAM厂陷入如此困境的主要原因。在这样的背景下,估计DRAM价格在秋季以后
受到DRAM报价崩盘冲击,存储器模块厂威刚公布2011第2季呈现亏损,单季亏损新台币1.1亿元,每股税后亏损0.49元,合计上半年财报也呈现小幅亏损,税后亏损1,471万元,换算每股税后亏损0.07元;
DRAM 的代表产品—2G 容量 DDR3 芯片,第 3 季平均售价据估计将下滑至 1.60 美元,由前一季的 2.10 美元骤降 24%。这样的跌幅将创今 (2011) 年新高,因上一季价格相对稳健,而第 1 季则仅小挫 5%。
据报导,海力士半导体(Hynix)第3季可能在2009年第2季后,历经9季再度出现赤字。存储器芯片迎接最大旺季,2010年营益率一度飙升至39.8%,然而半导体市况持续恶化,PC DRAM价格下跌,2011年第3季可能出现负面的营业利益。
受到市场需求疲弱影响,DRAM现货价下挫走低,DDR3 2Gb颗粒现货均价降至0.95美元的新低价位,不过近期市场传出,通路商已经开始逢低出手回补DRAM库存,带动DRAM现货价格走高,DDR3 2Gb颗粒现货均价来到1.01美元,涨幅逾6%。
双D产业经历上半年大赔之后,DRAM现货价率先强弹,为本季电子业普遍「旺季不旺」捎来迟来的好消息,也透露DRAM厂陆续降低标准型产品产出的正面效益,正陆续浮现。