DRAM供过于求 Q3价格将重挫24% Q4续跌22%

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-08-30 14:06
研究机构最新《库存市场简报》(Inventory Market Brief) 显示,第 3 季期间动态随机存取内存 (DRAM) 市场异常供过于求,且店面售价大幅下滑,为 DRAM 供货商带来动荡挫折的下半年景况。
DRAM 的代表产品—2G 容量 DDR3 芯片,第 3 季平均售价据估计将下滑至 1.60 美元,由前一季的 2.10 美元骤降 24%。这样的跌幅将创今 (2011) 年新高,因上一季价格相对稳健,而第 1 季则仅小挫 5%。
接下来的第 4 季期间,DRAM 产品价格将再大跌 22% 至 1.25 美元,逼近许多制造商的成本绝壁边缘,相对比较之下,去 (2010) 年第 3 季的 DRAM 均价高达 4.70 美元。
DRAM 和内存首席分析师 Mike Howard 指出:「相对于以往价格较低的第 2 季走势,今年第 2 季售价较为稳健,和第 1 季相比变动不大。然而企业在当季没有利用相对高价来增加出货销售量,或许已错失了最好时机。」
DRAM 制造商在第 2 季期间出货量增幅微少的原因,主要有 2 项:库存数量过多,以及转型新工艺技术的过渡期面临挑战。
例如台湾的南亚科技 (1303-TW),在开始出货前库存量高达 30 日,反映市场供过于求情况。此外南韩海力士 (Hynix Semiconductor Inc.)(000660-KR) 表示,新技术打造的 38 奈米芯片良品率甚低。美国美光 (Micron Technology Inc.)(MU-US) 也指出,公司第 3 季度的最后一月,芯片现货和合约出现大幅价差,显示公司现货市场销售不佳,乃至库存累积。
然而如果以往历史走向可信,DRAM 厂商将可迅速摆脱库存,且良品率也将随技术改善迅速上升,因此第 2 季的景况在今年不会维持太久。
预期,第 3 季 DRAM 出货量将增长 15.9%,而价格方面则可能不会很快回涨。

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