据报导,海力士半导体(Hynix)第3季可能在2009年第2季后,历经9季再度出现赤字。存储器芯片迎接最大旺季,2010年营益率一度飙升至39.8%,然而半导体市况持续恶化,PC DRAM价格下跌,2011年第3季可能出现负面的营业利益。目前业界预估海力士第4季赤字规模可能扩大,但2012年初可望扭亏为盈。
海力士第3季营收与第2季相比将大幅减少,且可能出现营业赤字。虽然各家对赤字的幅度意见不同,但一致认同将出现赤字。市场上预估海力士的赤字幅度从500亿韩元(约4,645万韩元)至3,000亿韩元(约2.8亿美元),因计算基准不同而存在差异。 放大 DRAM需求不振,海力士第3季营收恐较第2季大幅减少。
出现赤字的最大原因,在于计算机用DRAM价格下跌,使海力士收益降低,而赤字幅度预测值差异则来自于服务器DRAM和行动DRAM等特殊DRAM的价格。特殊DRAM受到计算机用DRAM影响,价格随之下跌,然各家业者对其跌幅的预估则有所不同。
计算机用DRAM比重占海力士整体DRAM芯片约30%,其余为特殊DRAM,比起计算机用DRAM占比较高的台湾或日本企业来说,受到的冲击相对较小。第3季海力士快闪存储器(NAND Flash)表现不差,但特殊DRAM价格也进入跌幅,DRAM事业营收表现不佳,海力士第3季将难逃亏损的命运。
海力士DRAM的平均销售价格(ASP)骤降,第3季可能出现2,760亿韩元(约2.6亿美元)赤字,但快闪存储器多少产生弥补作用,应可使营损缩减至1,340亿韩元(约1.2亿美元)。此外,预估计算机用DRAM ASP约下跌34%,特殊DRAM ASP约下跌30%。
海力士扩大转换30纳米等级产生正面的影响,直至第2季还徘徊不前的微细制程转换进度,至第3季已开始扩大进行,整体DRAM出货量已较第2季增加19%。虽然节约成本的效果明显,可惜仍未达到可消减赤字的程度。
分析师则指出,海力士扩大30纳米制程比重,与其它后继业者的技术差距达6个月以上,由于目前半导体业况不佳,后继业者可能延后转换制程,技术差距将扩大。