4月5日上午报导,东芝(Toshiba Corp.)已退出尔必达(Elpida Memory Inc.)的竞购行列,美光科技和海力士仍在继续竞标,东芝原本是日本政府属意的尔必达合作伙伴。
记忆卡巨擘SanDisk Corporation 3日于美国股市收盘后宣布调降2012会计年度第1季(1-3月)财测:受定价与需求不如预期的影响,营收仅将达12亿美元,逊于先前预估的13.0-13.5亿美元;毛利率也将低于先前预估的39-42%。
DRAM厂受限个人电脑(PC)产业成长率趋缓,纷纷转型生产其他产品,主要是投入资源在NAND Flash产能扩充上,其次晶圆代工也是重点扶植的业务,以多元化的发展分散景气波动,和科技产业趋势变化快速的风险。
苹果新一代iPhone与iPad最大储存型快闪存储器(NAND Flash)供应商东芝传将扩增NAND产能,显示苹果双i后市销售看俏,东芝正强化对台厂委外代工,其大幅扩产后,协力厂力成、群联等,都将受惠。
因智能型手机等行动装置日益普及,带动NAND型闪存(Flash Memory)需求将持续扩大,故全球第2大NAND Flash厂商东芝(Toshiba)计划于今(2012)年夏天动工兴建新厂房,扩增NAND Flash产能,以藉此追击龙头厂三星电子;
力晶(5346)公布3月自结营收达21.12亿元,月成长23.4%,力晶发言人谭仲民副总表示,今年初标准型DRAM报价上扬,带动公司产能利用率提升,使3月出货增加,再加上晶圆代工客户的急单效应,两大业务同步成长推升力晶3月营收向上成长。
2013年将在移动NAND闪存市场引发新的技术竞争,但较旧的嵌入多媒体存储卡(eMMC)标准在许多手机和平板电脑中仍将保持统治地位,届时出货量将强劲增长37%。
该公司与SK Hynix(前身为Hynix Semiconductor Inc.)2日决定合作在嵌入式市场推出Spansion SLC NAND产品,共区分为4x、3x、2x三种节点,首款开发的产品将在今年第2季问世。双方同时将签订交互授权的协议。
平行和串行式闪存的领导厂商Spansion公司(NYSE:CODE)宣布其512Mb Spansion FL-S Serial(SPI)NOR型闪存已进入量产阶段,此产品特色为业界最高密度单芯片串行式闪存。
日本DRAM厂尔必达(Elpida)向法院声请破产保护重整计划后,三星已表明对尔必达没兴趣,东芝(Toshiba)、美光(Micron)、英特尔(Intel)、Global Foundries、台塑集团、台积电等多家业者有意参与竞标,并不令市场意外,但却传
去年亏损百亿元以上都是DRAM公司,包括南科(2408)亏损398亿元、华亚科(3474)亏损221亿元,再加力晶(5346)自结亏损221亿元,若加上兴柜公司瑞晶(4932)亏逾60亿元,合计国内两家DRAM厂亏近900亿元。此外,去年南科亏损总额创新高
华硕旗下投资的超速传输IC设计公司祥硕跃上兴柜后,气势如虹,不但USB 3.0 Host控制芯片传捷报,更抢下全球3大品牌硬盘厂USB 3.0桥接控制芯片订单,随着英特尔(Intel) Ivy Bridget处理器问世,祥硕下半年重点将放在USB 3.0外
虽然NAND Flash价格一再探底,但是业者依然看好NAND Flash市场需求,寄望固态硬盘(SSD)、智能型手机(Smartphone)、平板电脑(Tablet PC)、USB 3.0周边应用、Ivy Bridge新平台的产品等需求带动NAND Fl
据报导,已申请适用日本公司更生法的全球第3大DRAM厂尔必达(Elpida)为选出赞助企业(援助企业)所举行的第一次竞标活动即将于近日内结束,而全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)已确定将参与竞标...
半导体零组件通路商至上(8112)公布2011年财报,受到内存产品线跌价形势险峻、出货量增难抵价跌影响,全年营收年减6.9%至445.14亿元,税后盈余则下滑34.1%至2.52亿元,EPS为1.37元。