劲永预期,随着USB3.0与USB2.0产品价格逐步拉近,明年上半年前USB2.0U盘产品恐将遭到淘汰;至明年底USB3.0 U盘产品比重可望攀高至7成高水準,USB3.0将成U盘产品市场主流规格。
由於完成了私募增资,南科今年底每股净值仍可维持正数,等於化解了每股净值转為负数导致股票下市的危机。而南科也积极进行转型,明年起将淡出标準型DRAM市场,转型為利基型DRAM供应商,专注在消费型及低功耗记忆体產品。
南亚(1303-TW)27日董事会通过,出售南科(2408-TW)股票50万张,每股预计1.7元,交易总金额预计为8.5亿元,明年首季也将对南科增资271亿元、华亚科(3474-TW)增资70亿元。此外,也跟进台化、台塑,出售台塑化股票19万张。
根据京元电的规划,2013年的总资本支出规模为49.89亿元,其中,约有10亿元将用以建置位于苗栗铜锣的第5座厂房,余下的近40亿元则用来购置机器设备、扩充自有测试机台,资金来源将采自有资金与融资并行的方式投入。
全球微控制器(MCU)龙头厂瑞萨电子(Renesas Electronics Corp.)于25日宣布,因欧洲及中国大陆景气减缓,导致MCU订单低迷,故旗下位于日本国内的9座半导体工厂将于今年的年末元旦假期期间停工3-10天,停工天数将比去年的2-7天还多
英特尔(Intel)Ivy Bridge处理器问世后,因为原生支持USB 3.0,导致独立的USB 3.0 Host芯片需求急速降温,商机转移至USB 3.0外围商品身上,包括USB 3.0外接式硬盘盒桥接控制芯片、USB 3.0优盘芯片、USB 3.0
测试大厂京元电子(2449)昨(24)日召开董事会,决议明年资本支出将拉高到49.89亿元,较今年的38亿元增加约31%,主要将用来购置机器设备,以及兴建苗栗铜锣科学园区新厂。京元电董事长李金恭对明年景气看法乐观,库存调整已经接近尾声,明年3月后将强劲复苏
2012下半年在东芝、三星、海力士均宣布减产,且控制市场出货,价格因供货减少逐渐止跌反弹,11月、12月年底传统淡季,NAND Flash现货价和合约价转为下跌...
由于个人计算机销售量今年出现负成长,智能型手机及平板计算机又蚕食计算机市场需求,就连英特尔结合ODM/OEM厂推出超轻薄本Ultrabook、微软推出Windows 8等,都没有办法有效刺激PC需求,因此影响到全球DRAM市场供需。
研调机构ICinsights预期,今年整体闪存(Flash)市场产值可望达304亿美元,将首度超越动态随机存取内存(DRAM)。
存储器封装需求以超薄、高速、高容量等特点发展,其中又以超薄为存储器封装技术发展的重点。由于传统极薄封装的解决方案仍嫌不足,因此业者从载板上着手,造就高强度超薄载板解决方案顺势兴起,这也替印刷电路板(PCB)和IC载板产业带来新商机。
记忆体模组厂认为,NAND快闪记忆体合约价维持缓跌是好事,代表随着供给减少,市况平稳,价格小幅回档为预期走势,估计12月底将可望触底,明年元月间随着中国农历年前的备货需求来到,有机会出现价格止跌反弹。12月上旬NAND Flash合约价较11月下旬小跌1~
联电上个月才对外宣布推出新一代80奈米小尺寸SDDI制程,昨天又再度推进至55奈米,有助推升营运。联电表示,目前SDDI芯片出货已逾3亿颗,而55奈米SDDI制程,是再次展现公司在SDDI晶圆专工领域的领先地位。
为了更好的反应市场,从2012年12月18日开始,U盘模块产品将MicroCOB(又称MicroUDP)产品纳入价格取样范围,届时U盘模块产品价格将有较大波动。
DRAM现货市场买家忧心供不应求,全力进场追价扫货,昨(17)日晚盘报价大涨逾8.2%,重回1美元大关,本月以来累计大涨逾三成,报价改写波段新高,威刚(3260)、宇瞻等模块厂率先受惠;因应价格报涨,传出南科等大厂纷纷惜售,已停止报价。