分析师预估今年Flash产值可超越DRAM

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-12-21 08:36
研调机构ICinsights预期,今年整体闪存(Flash)市场产值可望达304亿美元,将首度超越动态随机存取内存(DRAM)。
IC insights表示,在智能手机、平板计算机及其他个人多媒体装置强劲需求趋动下,包括储存型闪存(NAND Flash)及编码型闪存(NOR Flash)整体Flash市场,今年产值可望达304亿美元,将年增2%。
反观DRAM市场,受需求疲弱,产品价格低迷影响,IC insights预期,今年DRAM产值恐将自去年的313亿美元,滑落至280亿美元;整体Flash市场产值将首度超越DRAM。
IC insights还指出,明年光NAND Flash产值便可超越DRAM;预期2012至2017年NAND Flash产值年复合成长率可望达14%,将逐步拉大与DRAM间的差距。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多