DRAM与NAND Flash供货商同步缩减资本支出,带动产品价格走扬,研调机构IC Insights看好,今年存储市场将是充满希望的1年。
一年一度的CeBIT于3/5正式拉开帷幕了,全球快速存储领域领导品牌浦科特携旗下多款SSD产品亮相。
DRAM大厂南科(2408-TW)近日因股价异常波动,遭主管机关要求公布2月损益,南科2月税后净损15.05亿元,亏损较去年同期大幅减少65.5%,每股亏损0.06元;激励今天股价开高走高,盘中再度攻上涨停来到3.43元。
标准型DRAM市场供不应求,可与标准型DRAM兼容的x16规格利基型DRAM,成为ODM/OEM厂及模块厂抢货目标,加上韩系大厂退出消费性低容量利基型DRAM市场,IC通路业者表示,已接获华邦电(2344)通知,3月起华邦电DRAM报价全面调涨一成。
近期存储市场上游供货减少,而且产能产出量有限,导致DRAM和NAND Flash现货同时缺货,影响DRAM现货报价持续上涨,NAND Flash相关闪存产品价格也出现大幅度...
韩国业界有消息指出,SK海力士(SK Hynix)的2Y纳米DRAM新产品,最快将于2013年上半,或最晚于2013年下半,同步于韩国利川与大陆无锡工厂,开始进行量产。市场人士多指出,由于大陆市场的重要性愈来愈高,SK海力士似乎也开始修正策略。
花旗环球证券调查全球内存供需,发现存储型闪存(NAND Flash)下季开始将大缺货,供应缺口达到15%,主要是资本支出不断减少,但智能型手机、平板需求旺盛,导致NAND Flash第2季急速变成为卖方市场。摩根士丹利则点名群联,受惠程度大。
兴柜内存模块厂十铨科技,新年新气象!针对旗下超频内存模块包括Xtreem、Dark、Vulcan等系列进行全面改版,要让消费者感受耳目一新,同时推出更高规格产品Team Elite DDR3 1866 CL13抢食高阶市场。
法人看好华亚科的母公司南亚(1303),今年将大幅缩减DRAM亏损,受益程度大,4大外资机构同步调升目标价。富邦投顾则预估,南亚今年每股纯益可逾4元,获利年增率高达10倍。
固态硬盘(SSD)苦战多年逐渐被市场接受,取代部分传统硬盘应用,但随著MLC、TLC型NAND Flash芯片效能越来越差,抗拒SSD应用声浪仍不断,尤其DRAM芯片价格愈益便宜,并逐步打开一些新应用市场,包括云端系统、金融机构、医疗、网络在线交易应用等,
虽然SATA接口流传甚广,但IDE驱动器仍然在多台服务器、数据中心和工业系统使用,这就是为什么Apacer宇瞻科技推出了一些PATA固态硬盘。
今年开年以来,DRAM以及Nand flash价格均向上,存储模组厂虽产品比重不同,但整体都可受惠,包括威刚(3260)、创见(2451)等第一季营运均不看淡。
债权银行主导的力晶旗下P3厂出售案,全球第二大晶圆代工厂格罗方德(GF)先前标下一.四亿美元厂区设备,虽向银行团承诺汇款,但最后还是缩手。债权银行认为,GF是放弃捡便宜的好机会,一个月后将启动第二轮标售。
NAND Flash控制芯片业者主要来自于手机和U盘两大应用,过去手机市场的NAND Flash控制芯片需求来自于功能型手机(Feature Phone),手机厂搭售一片小容量约4GB左右的闪存卡出货,但自从功能型手机被智能型手机取代后,搭售市场需求也逐渐