DRAM与NAND Flash供货商同步缩减资本支出,带动产品价格走扬,研调机构IC Insights看好,今年存储市场将是充满希望的1年。
IC Insights预估,动态随机存取内存(DRAM)供货商今年资本支出将降至42亿美元,较去年减少14.2%,IC Insights看好,今年DRAM价格可望超越损益两平点。同时预期,NAND Flash供货商今年资本支出也将同步缩减,预估降至104亿美元,较去年减少约6.3%。
近期NAND Flash供应商NAND Flash芯片供应短缺,再加上供货商缩减资本支出,新产能产出有限,而市场应用端智能型手机、平板电脑需求持续攀升,导致市场供需严重失衡,影响DRAM与NAND Flash价格同步走扬。
根据中国闪存市场网报价显示,NAND Flash相关产品Micro SD昨日(6日)价格大涨,Micro SDHC 4GB(CL2-6)由3月5日收盘价18.6元上涨至20.2元,单日上涨8.6%,涨幅最大,累计今年两个多月涨势,涨幅高达52%。其他容量昨日价格也出现5%以内的涨幅。
除了Micro SD产品价格上涨,其他产品SD、USB3.0(PCBA)、NAND Flash颗粒均出现价格上涨的现象。倘若NAND Flash供货持续紧缺,恐将导致NAND Flash高价不坠,影响NAND Flash产业稳定发展。